公开(公告)号：CN103839834B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410105088.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的课题在于提供包括电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及没有不均匀性地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并包括在半导体层和源电极层及漏电极层之间设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层及漏电极层和半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的包含In、Ga及Zn的缓冲层，形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN102456533B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110354613.1

申请日：2011-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  沼泽阳一郎 ,  井上卓之 ,  高桥功二郎 ,  一条充弘

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。

公开(公告)号：CN102312220B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110179764.8

申请日：2011-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。在第一条件下形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种子，然后在第二条件下以使混合相微粒生长来填埋混合相微粒之间的空隙的方式在种子上层叠形成微晶半导体膜。在第一条件中，将氢流量设定为含有硅或锗的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为67Pa以上且1333Pa以下。在第二条件中，使含有硅或锗的沉积气体与氢的流量比周期性地增减并将其供应到处理室内，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下。

公开(公告)号：CN101540342B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200910128138.9

申请日：2009-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明要求保护一种薄膜晶体管及显示装置，其课题之一在于解决涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。另一课题在于提供一种能够高速工作的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层上的微晶半导体层；重叠于微晶半导体层及栅极绝缘层的非晶半导体层；以及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层设置于非晶半导体层上，并且形成源区或漏区，其中，栅极绝缘层在与微晶半导体层的端部接触的附近具有高低差，并且所述微晶半导体层外侧的栅极绝缘层的第二厚度比接触所述微晶半导体层的栅极绝缘层的第一厚度要薄。

公开(公告)号：CN102117837B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010624629.5

申请日：2010-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  田所麻美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。

公开(公告)号：CN102592977B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210057692.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN102077354B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980124788.4

申请日：2009-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  神保安弘 ,  手塚祐朗 ,  大力浩二 ,  宫入秀和 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。

公开(公告)号：CN101728434B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200910207026.2

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  秋元健吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101527284B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200910128517.8

申请日：2009-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  梅崎敦司

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  G02F1/1362

Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。

公开(公告)号：CN102169906B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110037224.6

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。