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公开(公告)号：CN1523668A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410003980.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1214 , H01L27/3209 , H01L27/3227 , H01L29/78603 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件具有的集成电路有以下特点：使用价格低廉的玻璃衬底；能够应付信息量的增加；高性能；且能高速工作。一种具有通过将在不同衬底上形成的半导体元件转移以层叠的半导体元件的半导体器件，其中，在所述层叠的半导体元件之间形成有由树脂形成的膜以及形成在一部分区域中的金属氧化物，并且，在和所述层叠的半导体元件中的一个半导体元件电连接的发光元件中，第一电信号被转换为光信号，且在和所述层叠的半导体元件中的另一个半导体元件电连接的光接收元件中，所述光信号被转换为第二电信号。
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公开(公告)号：CN1472772A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03147669.4
申请日：2003-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。
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公开(公告)号：CN1417841A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02148256.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76275 , H01L21/308 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/32 , H01L29/78603 , H01L51/0024 , H01L51/56
Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。
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公开(公告)号：CN110233210A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910384499.3
申请日：2015-05-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M2/02 , H01M2/18 , H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 当作为二次电池的外包装体使用薄膜时，因为薄膜的强度比金属罐低，所以在从外部向二次电池施加压力时配置在由外包装体围绕的区域的集电体或设置在集电体表面上的活性物质层等有可能受到损伤。实现一种即使从外部向其施加外力时也有耐久性的二次电池。在二次电池中，在由外包装体围绕的区域设置缓冲材料。具体而言，在集电体的周边设置缓冲材料，以使外包装体(薄膜)的密封部位于在该缓冲材料的外侧。
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公开(公告)号：CN102354067B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110293254.3
申请日：2004-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/13357 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765763A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480065065.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种耐受弯曲等变形的蓄电单元。使用对折的由绝缘体构成的薄片覆盖电极板。优选通过将薄片在电极板的周围部重叠的部分接合，将薄片加工为袋状或囊状形状。电极板与薄片一起被固定于外包装体。当外包装体因弯曲等变形时，电极板与薄片一起在外包装体内部滑动，由此可以缓和因弯曲给电极板造成的应力。
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公开(公告)号：CN101499201B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200810176170.X
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G07G1/06 , G06K19/077 , G07F7/08
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的名称为卡以及利用该卡的记帐系统，目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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公开(公告)号：CN102184891B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110062354.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法。用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN1523668B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200410003980.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1214 , H01L27/3209 , H01L27/3227 , H01L29/78603 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件具有的集成电路有以下特点：使用价格低廉的玻璃衬底；能够应付信息量的增加；高性能；且能高速工作。一种具有通过将在不同衬底上形成的半导体元件转移以层叠的半导体元件的半导体器件，其中，在所述层叠的半导体元件之间形成有由树脂形成的膜以及形成在一部分区域中的金属氧化物，并且，在和所述层叠的半导体元件中的一个半导体元件电连接的发光元件中，第一电信号被转换为光信号，且在和所述层叠的半导体元件中的另一个半导体元件电连接的光接收元件中，所述光信号被转换为第二电信号。
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公开(公告)号：CN101685796A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910207607.6
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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