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公开(公告)号：CN105793995A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065150.9
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/45 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一栅电极层；第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜；第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二栅电极层。一对电极层包括Cu?X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
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公开(公告)号：CN119092554A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411208055.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN118507531A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410718963.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN111615744B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980009057.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN117957598A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063044.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。降低拍摄时的噪声。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、间隔物、保护层及遮光层。第一有机层设置于第一像素电极上。第二有机层设置于第二像素电极上。公共电极具有隔着第一有机层与第一像素电极重叠的部分及隔着第二有机层与第二像素电极重叠的部分。保护层覆盖公共电极。间隔物对可见光具有透光性且具有隔着保护层、公共电极及第一有机层与第一像素电极重叠的部分。遮光层设置于间隔物上且具有与第二像素电极重叠的开口。第一有机层包含光电转换层，第二有机层包含发光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117016046A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280013859.9
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。
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公开(公告)号：CN110600485B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910839846.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN115332356A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210876076.5
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本申请的发明名称是“半导体装置及包括该半导体装置的显示装置”。提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。
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公开(公告)号：CN115274860A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210756520.X
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L51/50 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/12 , H05B33/14
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN108292684B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201680067710.3
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
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