公开(公告)号：CN100423200C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410092387.4

申请日：2004-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。

公开(公告)号：CN100419970C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410028268.2

申请日：2004-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  B32B25/20

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/31663

Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。

公开(公告)号：CN100381526C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN100337161C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN02802641.1

申请日：2002-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  笹子胜 ,  上田充 ,  藤之谷刚彦

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，[化1](其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基)。

公开(公告)号：CN101021011A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100054.0

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B2006/12166 ,  G02B2006/12197

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、含氮原子的气体和含碳化氢分子的气体构成。

公开(公告)号：CN1300823C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03101698.7

申请日：2003-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2022

Abstract: 一种图案形成方法，是对抗蚀剂膜进行预烘焙后，使该抗蚀剂膜中含有的溶剂挥发。在真空中对已挥发溶剂的抗蚀剂膜选择性地照射曝光光而进行图案曝光。使经图案曝光的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1866129A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610074073.0

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/085 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12

Abstract: 本发明公开了一种抗蚀材料及使用了该抗蚀材料的图案形成方法。目的在于：能够提高抗蚀图案与被处理膜的附着性，防止图案的形状不良。在衬底101上形成由含有为杂环酮的4－戊烷内酰胺的抗蚀材料构成的抗蚀膜102，接着，通过掩膜104对抗蚀膜102照射曝光光103来进行图案曝光。接着，通过将已被图案曝光的抗蚀膜102显像来形成抗蚀图案102a。

公开(公告)号：CN1278383C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02148111.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1-30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。

公开(公告)号：CN1275297C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03128623.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

公开(公告)号：CN1707361A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510074297.7

申请日：2005-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70991

Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。