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公开(公告)号:CN105027436A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201480009131.4
申请日:2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 一种复合基板10,其是将压电基板12与热膨胀系数比压电基板12低的支撑基板14粘合在一起所形成的复合基板。支撑基板14通过以刀片可剥离的强度将由相同材料制成的第1基板14a和第2基板14b以直接接合方式接合在一起来形成,并以第1基板14a中的第1基板14a与第2基板14b的接合面的相反一侧的表面,与压电基板12粘合在一起。
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公开(公告)号:CN104365019A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201380030905.7
申请日:2013-06-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/053 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H03H9/02574 , H03H9/25
Abstract: 复合基板10由支承基板12和压电基板14贴合而成,本实施方式中,支承基板12与压电基板14通过粘合层16贴合。该复合基板10的支承基板12由透光性氧化铝陶瓷制作,因此,较之于支承基板由不透明的陶瓷制作的情况,FCB时容易定位。此外,支承基板12的可见光区域(360~750nm)中的直线透过率及前方全光线透过率分别优选10%以上及70%以上。
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公开(公告)号:CN103947110A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201380003306.6
申请日:2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板,是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板,所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板,所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%~14atm%的Ar。此外,非晶层从压电基板向着复合基板,具有第1层、第2层及第3层。其中,第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素(Ta等),第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素(Si),第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号:CN102822646A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201280001000.2
申请日:2012-02-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L37/02 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/34 , H01L37/025
Abstract: 本发明涉及一种热电元件(10),该热电元件(10)包括:热电基板(20);由表面电极(41)、背面电极(51)、受光区域(21)构成的受光部(61);由表面电极(42)、背面电极(52)、受光区域(22)构成的受光部(62)。其中,由于与空洞(38)相对的部分的空洞相对区域(26)产生有弯曲部,因此较之于无弯曲的情况,受光部(61、62)的受光面积增大。因此,不会令热电元件(10)的较无弯曲的情况变大,并提升检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN112868178B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN201980067455.6
申请日:2019-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种接合体,将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备:支撑基板(1),其包含金属氧化物;压电性材料基板(4、4A);接合层(2B),其设置于支撑基板与压电性材料基板之间,且组成为Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408);以及非晶质层(10),其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。
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公开(公告)号:CN111066243B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201880003452.1
申请日:2018-09-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件,提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备:压电性材料基板1A;中间层2,所述中间层2设置于压电性材料基板1A上,并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成;接合层3,所述接合层3设置于中间层2上,并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成;支撑基板5,所述支撑基板5由多晶陶瓷构成,并与接合层3直接接合;以及电极9,所述电极9设置于压电性材料基板1A上。
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公开(公告)号:CN115516368A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202180005302.6
申请日:2021-05-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种复合基板,其剥离得到显著抑制,并且,制成电光元件的情况下,光的传播损失较小,能够进行高速及低电压驱动,此外,能够实现即便在严酷的高温环境下也能够维持优异的可靠性的非常薄型的电光元件。本发明的实施方式的电光元件用复合基板(100)按如下顺序具备:具有电光效应的电光结晶基板(10)、第一高介电常数层(21)、第二高介电常数层(22)、以及支撑基板(30)。第一高介电常数层(21)和第二高介电常数层(22)直接键合,在第一高介电常数层(21)与第二高介电常数层(22)的接合界面形成有非晶质层(40)。
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公开(公告)号:CN115004394A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202080030783.1
申请日:2020-12-07
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/312 , C04B37/00 , G02B26/08
Abstract: 在包含高刚性陶瓷的振动板与支撑基板的接合体的基础上,提供能够维持振动板的强度且防止振动板的剥离或开裂的结构。振动板接合体5具备:支撑基板3,其包含硅;振动板1A,其包含高刚性陶瓷且厚度为100μm以下;以及接合层2,其包含α-Si,位于支撑基板3与振动板1A之间,并与振动板1A的接合面1a接触。振动板1A的接合面1a的算术平均粗糙度Ra为0.01nm以上10.0nm以下,振动板1A的接合面1a的蚀坑密度为每100μm2具有10个以上。
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公开(公告)号:CN112840563A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201980067483.8
申请日:2019-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种接合体,将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备:支撑基板(3);压电性材料基板(1A);第一接合层(4A),其设置于支撑基板(3)上,且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408);第二接合层(2A),其设置于压电性材料基板(1A)上,且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408);以及非晶质层(7),其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。
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公开(公告)号:CN110945786B
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN201880047134.5
申请日:2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/31 , H01L41/337
Abstract: 本发明的课题是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。本发明的解决手段是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。接合体具备支撑基板及压电性材料层。支撑基板包含硅铝氧氮陶瓷。压电性材料层的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素)。接合体具备:沿着支撑基板与压电性材料层之间的界面而存在的界面层及在界面层与支撑基板之间所存在的支撑基板侧中间层。界面层及支撑基板侧中间层分别以选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素、氮、氧、铝以及硅为主成分。
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