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公开(公告)号：CN106329044A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610710339.X
申请日：2016-08-24
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01P1/207
CPC classification number: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段小型腔体滤波器，包括主体、下盖板、上盖板、多个调谐螺钉、两个微波绝缘子和两个连接器；所述上盖板设置于所述主体的顶部，所述下盖板设置于所述主体的底部，所述多个调谐螺钉设置于所述上盖板上；所述主体沿着长度方向的两端设置有侧孔，所述微波绝缘子设置于所述侧孔内且一端延伸至所述主体的腔室内，并与腔室内的导体柱相连接，所述微波绝缘子的另一端延伸至所述腔室的外部并与所述连接器相连接。该Ku波段小型腔体滤波器具备小插损、高抑制、小体积且生产低成本等优点。
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公开(公告)号：CN105914442A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610229997.7
申请日：2016-04-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01P5/12
CPC classification number: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种Ku频段四路径向波导功率合成器，包括主体、底座、盖板和探针；底座上沿周向均匀间隔设有四个第一波导口，主体的顶端面罩设在底座上以使得主体与底座之间形成有第一波导腔且第一波导口均能够与第一波导腔相连通；盖板盖设在主体的底端面上以使得主体与盖板之间形成有第二波导腔，盖板上设有一个第二波导口且第二波导口与第二波导腔相连通；其中，探针的底端固接在底座的顶端面上，顶端依次穿过第一波导腔和主体上的中心通孔并延伸入第二波导腔腔体内；探针上设有多级阶梯阻抗变换结构；第一波导口和第二波导口均为BJ140标准波导口。该功率合成器具备工作频带宽、插入损耗小、幅相一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN219761738U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202320461117.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本实用新型涉及散热领域，公开了一种功率放大器散热结构，该功率放大器散热结构包括散热架、导热结构、散热片和盖板，其中，导热结构固接于散热架的底部，散热架的顶部部分向内凹陷形成有散热空腔，散热片设置多个，多个散热片固接于散热架内；每相邻两个散热片之间形成有流动通道，流动通道均连通至散热空腔；盖板盖设于散热空腔上，盖板上设置有出风口和进风口，出风口位于散热空腔的上方，散热空腔内的空气能够通过出风口排出；进风口位于散热片的上方，盖板于进风口处设置有送风装置，送风装置设置为能够通过进风口向散热片送风。该功率放大器散热结构具有更好的散热效果。
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公开(公告)号：CN218103089U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202221767409.2
申请日：2022-07-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本实用新型公开的S波段高增益放大电路，S波段高增益放大电路包括：数控衰减器，输入端连接射频输入端，输出端依次连接第一级低噪声放大器、模拟衰减器、隔离器、高增益模块，高增益模块的输出端为射频输出端；MCU控制器，MCU控制器与数控衰减器、模拟衰减器及高增益模块中的衰减器通讯连接。本实用新型提供的S波段高增益放大电路可以实现射频信号增益≥45dB，噪声系数≤1.8dB，平坦度≤±0.25dB，发射功率P‑1≥20dBm。
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公开(公告)号：CN202421344U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120534515.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种X波段环行器测试装置，包括有校准件、测试件；校准件包括有底座、基板、两个SMA接头，两个SMA接头分别固定于底座底座上表面的两端处，基板固定在底座的上表面，基板上表面具有微带线；测试件包括有底座、三块基板、三个SMA接头、压片，三个SMA接头分别固定于底座的三个端处外侧，三块基板均固定在底座上表面，每块基板上表面均具有微带线，每条微带线的另一端设有测试引出端口悬于所在基板外，测试件的中间位置留有一定空间用于推送环形器进入空间进行测试。本实用新型的优点在于结构简单、加工方便、体积紧凑、重量轻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206353266U
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201621422259.6
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: G05F1/618
Abstract: 本实用新型公开负压控制大电流电路，该电路包括：NPN型三极管和P沟道MOS管；其中，所述NPN型三极管的基极通过第一电阻接地；所述NPN型三极管的发射极通过第二电阻连接于控制端口输入端；所述NPN型三极管的集电极连接于所述P沟道MOS管的栅极；所述P沟道MOS管的漏极连接于输出端口；所述P沟道MOS管的源极连接于大电流输入端口的VDD，所述大电流输入端口的电压为‑5V或0V，且所述MOS管的源极通过第三电阻连接于所述NPN型三极管的集电极；所述第一电阻的阻值为5kΩ；所述第二电阻的阻值为2kΩ；所述第三电阻的阻值为10kΩ。该负压控制大电流电路实现了负压控制大电流输出。
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公开(公告)号：CN203944997U
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201420305086.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种用于气密性激光封焊的定位单元和夹具，所述定位单元包括底座(1)，所述被封焊工件(4)设置于所述底座(1)的上表面上，在所述上表面上，沿所述底座(1)的宽度方向设置有至少一组定位凸台，沿所述底座(1)的长度方向也设置有至少一组定位凸台，每组所述定位凸台中包括间隔设置的弹性凸台(2)和固定凸台(3)，所述被封焊工件(4)的一端由所述弹性凸台(2)弹性支撑，另一端抵靠于所述固定凸台(3)上。本实用新型提供的定位单元和定位夹具能够快速、准确地对被封焊工件(4)进行装夹定位。
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公开(公告)号：CN206412988U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201621426361.3
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本实用新型揭示了一种Ku波段连续波线性功率放大器电路，包括隔离器、放大器、功分器，输入输出两个隔离器的隔离特性可以改善放大器输入输出端口的驻波，输入输出驻波小于1.2；两个功分器电路可以实现功率分配以及合成，功分器损耗0.3dB,增大输出功率，输入输出驻波小于1.2，输出功率≥46dBm(40瓦)，提高三阶交调的目的，三阶互调≤‑26dBc，其中放大器是由砷化镓芯片组成，单个放大器输出功率大于25瓦，其外形尺寸小，又有易于安装的微带引线，便于集成封装，用在Ku波段时，寄生参量小，稳定性好，可以很好地实现本电路的输出大功率功能。
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公开(公告)号：CN206362866U
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201621433127.3
申请日：2016-12-26
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种L波段80W功率放大器模块的测试工装，包括测试工装主体和辅助测试连接电路，所述测试工装主体上设有用于安装功率放大器模块的凹槽，所述辅助测试连接电路包括与测试工装主体连接的电路板和SMA接头，功率放大器模块和SMA接头均与电路板电连接。本实用新型的测试工装散热良好，测试准确、简单高效。可以满足对L波段80W功率放大器模块的批量化测试，操作简单方便，测试结果比较准确。
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公开(公告)号：CN206023711U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201620666580.2
申请日：2016-06-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本实用新型揭示了一种C波段功放模块，功放电路包括推动级放大器、末级放大器、级间匹配电路、馈电电路、分压电路和去耦电路，所述功放电路封装于屏蔽腔内，所述功放电路的输入、输出端经由微带线通过金丝键合与外界连接。本实用新型C波段功放模块工作于C波段的小型化高效率的功放模块电路，利用该电路，可实现紧凑空间的C波段信号的信号放大传递。
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