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公开(公告)号：CN103208518A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310098165.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103137706A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310063841.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件结构领域，具体涉及一种基于应变硅技术的深耗尽沟道晶体管及其制备方法。应变硅技术是通过利用硅和锗之间4.2%的晶格差异来发挥作用，能大幅提高空穴和电子迁移率，并增强跨导和驱动电流，可以提高整个硅基CMOS集成电路的速度和集成度，以满足高速、高性能电路的要求。深耗尽沟道能够有效减小随机杂质波动（RDF），从而能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗。本发明通过引入应变硅技术和深耗尽沟道，能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗并大大提高整个晶体管的速度和集成度。
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公开(公告)号：CN102881677A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210356083.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用原子层淀积工艺生长合金薄膜，所得到的合金抗铜扩散阻挡层的一致性和致密性好，可以有效阻止铜在介质中的扩散，而且合金与铜的粘附性好，不需要生长一层籽晶铜就可以直接电镀金属铜，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗铜扩散阻挡层的制造中得到应用。
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公开(公告)号：CN102856251A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210356515.6
申请日：2012-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路互连介质的处理领域，具体涉及一种低介电常数介质表面去羟基化的方法。本发明使用含有三甲基硅基基团的有机物携氢气载气对低介电常数介质表面进行处理，通过化学反应去除低介电常数介质表面的大多数极性羟基基团，并使之替代为无极性的三甲基硅基基团或者三甲基硅氧基基团，可以降低低介电常数介质的介电常数，使得整个电路的RC延迟下降。本发明所提出的低介电常数介质表面的去羟基化工艺与传统互连工艺之间具有很高的兼容性，并且可以使得互连当中的低介电常数介质不易吸水，延长芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102842569A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210359227.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工艺过程简单，还可以改善目前刻蚀阻挡层的存在会影响整体介电常数值的现状，使得互连电路中的延迟减小、提升互连电路的可靠性，有望在未来铜互连的刻蚀阻挡层的制造中得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102830374A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210326371.X
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体为一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的磁阻传感模块更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102290333A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110219738.3
申请日：2011-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基器件的栅氧介质的形成方法。本发明是在石墨烯基器件中采用原子层淀积方法生长氮化硼（BN），作为高k栅氧介质。生长BN可以突破目前BN靠机械剥离形成、大小难以控制、无法整合到石墨烯基电路集成工艺中的巨大难题，并且通过控制原子层淀积生长参数可以控制BN的结构与缺陷，进而能够提供多种不同石墨烯基器件应用，实现具有较高迁移率的石墨烯基场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN102184858A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110086082.2
申请日：2011-04-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , C23C16/26 , C23C16/34
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体为一种石墨烯场效应晶体管的制备方法。该方法的步骤包括：提供红外线可穿透的衬底；化学气相淀积石墨烯形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上构图形成栅介质层；以及在栅介质层上构图形成栅端。其中，石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应，以使石墨烯场效应晶体管的电学特性发生变化。该制备方法工艺过程简单并易于与集成电路制造工艺兼容，所制备的场效应晶体管具有灵敏度高、功耗低、超轻超稳定的红外探测功能，并且红外吸收带宽且可根据实际应用需求可调。
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公开(公告)号：CN101941696A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010281971.X
申请日：2010-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN101894907A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910051873.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , G11C11/56 , H01L21/8238
Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。
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