公开(公告)号：CN101941696A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010281971.X

申请日：2010-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  孙清清 ,  卢洪亮 ,  吴东平 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: C01B31/04 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

公开(公告)号：CN101941696B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010281971.X

申请日：2010-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  孙清清 ,  卢洪亮 ,  吴东平 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  C01B31/04

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。