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公开(公告)号：CN109135288A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810876298.0
申请日：2018-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
CPC classification number: C08J5/18 , C08J3/246 , C08J2383/04 , C08J2427/18
Abstract: 本发明公开了一种用于提高纳米摩擦发电机性能的PDMS‑PTFE薄膜及其制备方法，属于摩擦纳米发电技术领域。制备方法为：以重量计，称取聚二甲基硅氧烷(PDMS)预聚物溶于正己烷中，混合搅拌，使两者充分混合均匀；在混合液加入PTFE乳液，并加热搅拌制备混合溶液；将上述混合溶液冷却至室温，加入正硅酸乙酯交联剂，再加入二月桂酸二丁基锡催化剂，常温搅拌制备均匀混合PDMS待固化溶液；再对其进行脱气处理；将上述溶液涂覆至纳米发电机的衬底，固化，将薄膜从衬底剥下，制得PDMS‑PTFE薄膜。本发明提供了一种过程简单、成本低廉、可以用于大规模生产的方法来制备TENG用PDMS‑PTFE透明柔性薄膜，为实现高性能的TENG的材料生产提供了新的方法和思路。
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公开(公告)号：CN105177533B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN104559175B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410824764.2
申请日：2014-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管-凯夫拉纳米纤维复合薄膜的制备方法，以酸处理过的碳纳米管和凯夫拉纳米纤维为原料，首次将这两种力学性能优异的材料有效复合起来，提出真空抽滤辅助层层组装的思路，制备碳纳米管增强凯夫拉纳米纤维复合薄膜。本发明首次将碳纳米管与凯夫拉纳米纤维有效复合，制备得到了碳纳米管增强凯夫拉纳米纤维复合薄膜；该复合薄膜继承了碳纳米管与凯夫拉纤维单体的在热、电和力学方面诸多的优点。本发明采用层层自组装的方法，减少了碳纳米管增在聚合物中分散性差的问题。提出真空抽滤辅助自组装的方法，该方法在具有保持层层组装的优势的基础上，具有简单易行、成本低、制备速度快等特点。
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公开(公告)号：CN104944418B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510337459.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
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公开(公告)号：CN103194791B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310143495.9
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法，具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是：采用舟形钼坩埚，真空条件下水平区熔结晶生长；熔体自由表面百分比大，原料与坩埚体同时运动，无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点，使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高，材料利用率更高，缺陷密度低，光学性能好等优点，且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103332692B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310329347.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN102403420B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110356968.4
申请日：2011-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化物处延生长的图形化蓝宝石衬底的制备方法，本发明方法先在蓝宝石基片上磁控溅射一层铝膜，然后施涂两层光刻胶膜且下层光刻胶具有更好的光敏感性，经曝光、显影形成光刻胶图形，再磁控溅射第二层铝膜，经溶剂浸泡剥离外层铝膜，最后经低温、高温两步热处理形成具有单晶氧化铝膜的图形化蓝宝石衬底。本发明的制备方法工艺简单易行，即克服了干法刻蚀方法易污染、损伤衬底的问题，也克服了湿法刻蚀方法易造成图形失真的问题。
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公开(公告)号：CN102534495B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210044330.1
申请日：2012-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 耐久高反射膜的制备方法，它属于反射膜的制备领域。本发明要解决现有金属铝膜易与硫化锌发生反应的技术问题。方法：一、清洗硫化锌衬底；二、然后将硫化锌衬底置于磁控溅射真空仓内的样品台上，抽真空；三、反溅清洗；四、对铝靶预溅射，然后通入氧气，镀膜，沉积，插入挡板，关闭氧气；五、过40～60分钟后抽开挡板，再过10～20分钟后插入挡板；六、然后通入氧气，压强在0.1～2Pa，过6～10分钟后，抽开挡板，30～50分钟后插入挡板，关机；即制得耐久高反射膜。本发明制备的膜稳定牢固结合的、耐久的、具有高反射率的氧化铝-铝-氧化铝的膜层材料体系，能够满足军用光学部件对气动热力条件的适应性要求。
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公开(公告)号：CN102492922B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110443573.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN103072958A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310038747.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法，它涉及反钙钛矿型氮化物的制备方法。它要解决现有反钙钛矿型氮化物制备方法反应时间长，制备方法较复杂的问题。制备方法：一、碱金属氮化物、锰粉与金属单质粉磨碎混合，压制成片；二、混合料压片放入反应容器中，在氮气的保护下微波加热，或者将混合料压片放入反应容器中，再将反应容器放入石英管中，石英管抽真空后充入氮气，包裹上加热介质，微波加热得到反应物；三、反应物取出放入去离子水中浸泡，干燥后得到锰基反钙钛矿型氮化物。本发明的制备方法简单，成本低廉，微波加热功率为800W时，仅需10～30分钟即可快速合成锰基反钙钛矿型氮化物。本发明主要应用于锰基反钙钛矿型氮化物的合成。
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