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公开(公告)号：CN103194791B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310143495.9
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法，具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是：采用舟形钼坩埚，真空条件下水平区熔结晶生长；熔体自由表面百分比大，原料与坩埚体同时运动，无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点，使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高，材料利用率更高，缺陷密度低，光学性能好等优点，且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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公开(公告)号：CN103243380B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN103305911B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115360153B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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公开(公告)号：CN115360153A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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公开(公告)号：CN103305911A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号：CN103243380A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN103194791A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310143495.9
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法，具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是：采用舟形钼坩埚，真空条件下水平区熔结晶生长；熔体自由表面百分比大，原料与坩埚体同时运动，无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点，使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高，材料利用率更高，缺陷密度低，光学性能好等优点，且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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