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公开(公告)号：CN103194791B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310143495.9
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法，具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是：采用舟形钼坩埚，真空条件下水平区熔结晶生长；熔体自由表面百分比大，原料与坩埚体同时运动，无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点，使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高，材料利用率更高，缺陷密度低，光学性能好等优点，且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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公开(公告)号：CN103305911A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号：CN103243380A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN103194791A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310143495.9
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法，具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是：采用舟形钼坩埚，真空条件下水平区熔结晶生长；熔体自由表面百分比大，原料与坩埚体同时运动，无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点，使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高，材料利用率更高，缺陷密度低，光学性能好等优点，且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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公开(公告)号：CN104962987B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510377295.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体，它涉及水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体。它包括上层和下层，上下两层共同形成一个前后两侧开口的空间，下层为4个平行设置的钨管体，每个钨管体的两端的端头分别与支架一垂直连接，每个钨管体的端头处的上端面分别通过支架二与上层垂直连接；其材质大部分为钨，通电后可以对加热体内的物质进行加热。而水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体改进的地方主要是形貌的改变，由圆筒形或笼状改为水平箱式，可以部分解决现有发热体长时间加热导致发热体变形的缺陷，并能契合要加热物质的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103243380B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN104911692A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510274518.9
申请日：2015-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种大尺寸镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷的水平定向区熔结晶制备方法，它涉及一种大尺寸镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷。其具体的生长过程包括化料、引晶、共晶生长、冷却及退火四大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷具有尺寸大，缺陷少、硬度大、常温和高温力学性能突出、热稳定性强、易加工等优点。
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公开(公告)号：CN104846431A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510274532.9
申请日：2015-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种大尺寸氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷的垂直布里奇曼法制备法，它涉及一种大尺寸氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷的垂直Bridgman制备方法，其工艺特点是：氩气氛条件下VB法生长氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷。其具体的生长过程包括制备生料、加热前过程、共晶生长、冷却及退火四大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的氧化铝-钇铝石榴石共晶陶瓷具有尺寸大，缺陷少、硬度大、常温和高温力学性能突出、热稳定性强、易加工等优点。
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公开(公告)号：CN104962993A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510274508.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种大尺寸镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷的垂直布里奇曼制备法，它涉及一种大尺寸镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷的垂直Bridgman制备方法，其工艺特点是：氩气氛条件下VB法生长镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷。其具体的生长过程包括制备生料、加热前过程、共晶生长、冷却及退火四大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的镁铝尖晶石-钇铝石榴石共晶陶瓷具有尺寸大，缺陷少、硬度大、常温和高温力学性能突出、热稳定性强、易加工等优点。
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公开(公告)号：CN104962987A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510377295.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水平定向区熔结晶制备法中的单晶生长炉用水平箱式发热体，它涉及水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体。它包括上层和下层，上下两层共同形成一个前后两侧开口的空间，下层为4个平行设置的钨管体，每个钨管体的两端的端头分别与支架一垂直连接，每个钨管体的端头处的上端面分别通过支架二与上层垂直连接；其材质大部分为钨，通电后可以对加热体内的物质进行加热。而水平定向区熔结晶制备法单晶生长炉用水平箱式发热体改进的地方主要是形貌的改变，由圆筒形或笼状改为水平箱式，可以部分解决现有发热体长时间加热导致发热体变形的缺陷，并能契合要加热物质的形状。
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