公开(公告)号：CN113238455A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202011469628.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模胚之上形成光致抗蚀剂层。掩模胚包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON形成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化吸收体层。

公开(公告)号：CN113138528A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011388345.0

申请日：2020-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/68

Abstract: 本揭露提供一种极紫外(extreme ultra violet；EUV)光罩与其制造方法。例如：此极紫外光罩包含基材、形成于基材上的多层镜面层、形成于多层镜面层上的金属覆盖层、以及形成于金属覆盖层之上的多层吸收层。此多层吸收层包含蚀刻至多层吸收层中的特征，以在半导体元件上定义结构。

公开(公告)号：CN110967917A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910909214.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

公开(公告)号：CN110837203A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910754735.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  林秉勳 ,  王士哲 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/24

Abstract: 光罩的制造方法包含形成保护层于基板上方。形成多个反射薄膜多层于保护层上方。形成覆盖层于多个反射薄膜多层上方。形成吸收层于覆盖层上方。形成第一光阻层于部分的吸收层上方。图案化部分的第一光阻层与吸收层，而形成第一开口于吸收层中。第一开口暴露出部分的覆盖层。移除第一光阻层的剩余部分，并形成第二光阻层于部分的吸收层上方。第二光阻层至少覆盖第一开口。图案化未被第二光阻层覆盖的吸收层、覆盖层、与多个反射薄膜多层的部分，而形成第二开口。第二开口暴露出部分的保护层，且移除第二光阻层。

公开(公告)号：CN106468854B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201510859794.1

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  刘姿伶

IPC: G03F1/54

Abstract: 本发明公开一种掩膜及其制造方法，掩膜包括具有第一区域、第二区域及第三区域的掺杂基板。掺杂基板在第一区域中具有第一厚度以界定第一掩膜状态及在第二区域中具有第二厚度以界定第二掩膜状态。第二厚度与第一厚度不同。掩膜亦包括第三区域上方所安置的吸光材料层以界定边缘区域。掺杂基板有效率地耗散累积充电以减少蚀刻形貌畸变，此展示出对晶圆印刷方法中所使用的掩膜的聚焦深度及掩膜误差增强因子的改良。