公开(公告)号：CN106158856A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510187697.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  杨玉麟 ,  何嘉政 ,  邱荣标 ,  李宗霖 ,  叶致锴 ,  张智胜 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。

公开(公告)号：CN106158662A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510766042.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨玉麟 ,  何嘉政 ,  叶致锴 ,  彭成毅 ,  李宗霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。

公开(公告)号：CN103378132A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210360028.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  袁锋 ,  彭成毅 ,  万幸仁

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 用于场效应晶体管(FET)的示例性结构包括：包含第一表面的硅衬底；位于第一表面上方的沟道部分，其中沟道部分具有位于第一表面之上第一高度处的第二表面以及平行于第一表面的长度；以及位于第一表面上并且沿着沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极(S/D)区，其中，这两个S/D区域包含SiGe、Ge、Si、SiC、GeSn、SiGeSn、SiSn或III-V族材料。本发明提供了半导体器件的应变结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN221226228U

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202323068945.0

申请日：2023-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张致豪 ,  彭成毅 ,  李威养 ,  林家彬

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 本文描述的实施方式提供半导体装置。半导体装置包括具有一个或多个介电区域的全栅极晶体管，其中介电区域包括一个或多个介电气体。介电区域可以包括位于磊晶区域(例如，源极/漏极区域)与全栅极晶体管中栅极结构的第一部分之间的第一介电区域。介电区域还可以包括位于全栅极晶体管中接触结构与栅极结构的第二部分之间的第二介电区域。通过在全栅极晶体管中包括介电区域，与全栅极晶体管相关的寄生电容可以相对于另一个不包括介电区域的全栅极晶体管来说降低许多。

公开(公告)号：CN222914810U

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202421787473.6

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张致豪 ,  李威养 ,  郑宽豪 ,  彭成毅

IPC: H01L23/528 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置包含半导体纳米结构堆叠、相邻于半导体纳米结构堆叠的源极/漏极区、下伏于该源极/漏极区的一底部介电层、衬里层及导电核心层。源极/漏极区具有一顶表面、多个侧壁及一底表面。一孔隙存在于源极/漏极区与底部介电层之间。衬里层位于源极/漏极区上。导电核心层位于衬里层上，其中导电核心层在源极/漏极区的顶表面、侧壁及底表面上与衬里层接触。