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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215643516U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202122107016.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板实现两组LED阵列的串联，可减少电极引线数量，使得LED芯粒的间距做得更小，从而可在受限的面板上集成更多的LED芯粒，最终得以提高显示装置的分辨率。且，可灵活控制第一LED阵列和第二LED阵列所对应的电信号及导电面板的控制信号，通过不同的控制方式实现双面同步显示或双面异步显示或单面显示的显示效果。
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公开(公告)号：CN220106568U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202320990535.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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公开(公告)号：CN219917207U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320647683.4
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
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公开(公告)号：CN219553670U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320374150.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，本实用新型提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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公开(公告)号：CN218039253U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222594680.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。
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