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公开(公告)号：CN1383162A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1363730A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01137373.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法,尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法,在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区,850－900℃,高温区在1050－1100℃范围内;将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统;三路气体在蓝宝石衬底表面混合,得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中,引入GaCl和NH3混合生长区,通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡,抑制N面极化GaN的成核,获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN119894213A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411989354.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具备学习速率调度功能的垂直神经元晶体管及其制备方法，器件包括由下而上依次设置的Si衬底、SiO2层、作为肖特基栅的TiN层、绝缘层、作为铁电栅的TiN栅极层、铁电层。铁电层、绝缘层、作为肖特基栅的TiN层共同一侧以及SiO2层的部分厚度的侧面共同形成垂直侧壁结构。SiO2层上表面和铁电层上表面分别设有源极和漏极，源极、漏极以及垂直侧壁结构的表面设有连续的有机半导体层。其中，铁电层中具有可产生稳定极化的偶极子。本发明器件利用铁电极化效应和肖特基栅极的耦合调制以及多垂直栅的器件结构，能够完成高线性度和对称性的可调斜率电导更新行为，可用于构建集成学习速率调度功能的神经形态硬件系统。
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公开(公告)号：CN115710749B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211324028.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118174588A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410298429.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开了一种基于亚微米互连陶瓷骨架的摩擦铁电机械能发电机，包括第一电极、正摩擦层、负摩擦皮层、亚微米复合介电层以及第二电极。当正摩擦层与负摩擦皮层进行接触‑分离周期运动时，在第二电极与负摩擦皮层之间产生强度周期性变化的内建电场作用于亚微米复合介电层；亚微米复合介电层由经过电极化处理的二甲基硅氧烷填充的亚微米互连铁电陶瓷骨架构成，具有材料电位移变化与材料放电能量密度协同增益效应，产生随内建电场周期性变化而显著变化的电位移，进而诱导第一电极与第二电极内的电荷产生显著增益的周期性变化，在外电路中输出高的转移电荷密度同时释放高密度的电能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118173626A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410357624.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯提升光生载流子提取效率的二维范德华异质结及其制备方法和应用。二维范德华异质结包括衬底，衬底上部一侧向内延伸设有底层石墨烯电极层，衬底上部另一侧向内延伸设有顶层石墨烯电极层，底层石墨烯电极层与顶层石墨烯电极层的重叠区域设有二维异质结材料层，底层石墨烯电极层与顶层石墨烯电极层的端部上部设有金属电极。底部和顶部电极层覆盖异质结结区，使光生载流子从水平输运转变为垂直输运，有效地缩短了载流子输运长度。光生载流子被顶部和底部石墨烯电极高效吸收，降低了复合概率，明显提升了光响应度等光电性能；石墨烯电极稳定的物理性质能对器件起到较好的封装效果，隔绝外界水氧对于二维范德华异质结的影响。
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公开(公告)号：CN114414515B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210093675.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开一种基于电场调控的红外片上光谱分析系统、制备方法、用途及其光谱重构方法，涉及到器件设计、器件制备的方法和简化的高精度光谱重构算法等几个方面。基于半导体纳米薄膜本征的各向异性特点，在场的作用下，表现出极强的电子、声子、空穴、激子等多体相互作用如子空穴等离子体/液体（EHP/EHL）现象，通过电场调控EHP/EHL的Franz‑Keldysh效应可以实现吸收边调控从而实现波长连续可调的光谱分析，基于EHP/EHL的强相互作用大大提升了探测灵敏度，此外电场和EHP/EHL吸收边调控对角化关系简化并提升了光谱重构的精确度；本发明公(56)对比文件施毅，等.金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性.半导体学报.2006,(第04期),712-716.朱新峰，等.光谱学中的稀疏化方法.计算机与应用化学.2017,第34卷(第08期),588-596.刘宇.黑磷纳米带的电子能态及双光子吸收性质的理论研究.中国优秀硕士学位论文电子期刊信息科技辑.2019,(第12期),1-79.陈维.基于微波光子变频的光矢量分析技术研究.中国优秀硕士学位论文电子期刊基础科技辑.2021,(第7期),A005-98.Yuan S等.A wavelength-scale blackphosphorus spectrometer.NaturePhotonics.2021,第15卷(第8期),601-607.Yuan S等.A wavelength-scale blackphosphorus spectrometer.NaturePhotonics.2021,第15卷(第8期),601-607.
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公开(公告)号：CN116825827A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310797064.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫化物垂直结构二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底、底电极、过渡金属硫化物薄膜和顶电极；所述顶电极接触层为金属锑；所述底电极在衬底上利用Grids铜网固定在衬底表面，然后蒸镀金属得到；该过渡金属硫化物垂直结构二极管，利用Grids铜网可以直接获得仪器精度级的表面洁净度，无其它杂质的引入，且表面平滑，这一优势能大程度的加强金属与半导体之间的接触，进而关态电流得到进一步的降低，明显改善了该垂直结构二极管的整流比。
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公开(公告)号：CN116415533A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310130592.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/333
Abstract: 本发明公开了一种片上处理器的可测试性设计方法，包括：根据芯片的结构划分出不同的内核，获取不同内核的关键特征，为其设定插入扫描链的数量和测试控制器的类型；对核中扫描链进行基于时序性压缩架构的解压缩和压缩，使扫描链在实际各核的测试中数量增加，长度减小，从而获得更短的测试时间；对SoC层插入数据选择电路将各个内核连接起来通过顶层控制器进行控制，继而可以控制在不同的状态下测试不同的内核，提升测试效率；最后，对SoC层插入边界扫描链，测试芯片的信号输入输出能力。本发明通过对芯片进行内核划分，压缩内核中扫描链数量，并通过数据选择器和控制器控制不同内核分别测试，在现有技术下使得芯片测试的时间大大缩短。
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公开(公告)号：CN116347963A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310168711.9
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体薄膜材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制备方法包括如下步骤：在衬底上生长绝缘层；在绝缘层表面制备金属层；配制溶液；调节生长参数，生长二维有机半导体单晶薄膜。本发明通过选取合适的衬底和生长条件，直接在金属衬底上实现了二维有机半导体单晶薄膜的高质量、大规模、可控生长，薄膜单晶面积达到了毫米级别，为简化器件结构及制备工艺提供了可能的途径。
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