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    一种光模块封装结构及制作方法
    61.
    发明公开
    一种光模块封装结构及制作方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN107367803A

    公开(公告)日：2017-11-21

    申请号：CN201710754509.9

    申请日：2017-08-28

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 戴风伟 ,  徐健 ,  张文奇

    IPC分类号： G02B6/42

    CPC分类号： G02B6/4237 ,  G02B6/426

    摘要： 本发明公开了一种光模块封装结构，包括：转接板，所述转接板具有顶面、与顶面相对的底面、连接所述顶面和底面的侧面以及贯穿顶面和底面的第一通孔，所述转接板的顶面具有重布线结构、一个或多个第一焊盘以及一个或多个端部焊盘，其中所述一个或多个端部焊盘靠近所述侧面；光芯片，所述光芯片安装在所述转接板的顶面，并与所述第一通孔相对；基板，所述基板具有设置在第一面上的重布线层、一个或多个第二焊盘以及一个或多个输出焊盘，其中所述转接板的侧面固定安装在基板的第一面上；以及电互连结构，用于将所述端部焊盘电连接到所述第二焊盘。通过将转接板垂直表贴，实现光芯片与光纤垂直互连，并将电信号转接到基板上，避免垂直打线。

    晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法
    62.
    发明公开
    晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法 有权

    公开(公告)号：CN107346755A

    公开(公告)日：2017-11-14

    申请号：CN201710512423.5

    申请日：2017-06-29

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 戴风伟 ,  张文奇

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

    摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗装置，包括：清洗台，所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体，所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液，所述废液收集腔体具有废液出口，用于将所述废液收集腔内的废液排出；晶圆固定装置，所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上，其中所述晶圆固定装置包括载片，所述载片具有多个孔，所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起，使得待清洗的晶圆上TSV通孔与载片上的孔连通，形成清洗液的流动通道；清洗液释放装置，所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆；以及废液排出装置，用于迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过。

    一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件
    65.
    发明授权
    一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件 有权

    公开(公告)号：CN103787268B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201410028300.0

    申请日：2014-01-21

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 张文奇 ,  薛海韵

    IPC分类号： H01L23/522

    摘要： 本发明公开了一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件，其通过第一和第二RDL把光子器件和TSV沟通；通过第一、第二凸点将第一电子器件和第二电子器件和光子器件连接；通过TSV和背面第三RDL、第三凸点和基板连接，实现基板和正面CMOS/光子器件的沟通；本发明将先进的CMOS芯片和单片多种硅光器件的混合集成；本发明同时保证了高性能硅光器件在SOI衬底的单片集成和CMOS芯片的先进制造，允许二者都是用各种最先进和方便的工艺进行制造，充分借用CMOS工艺进而能大幅降低成本；本发明将单片集成的硅光子器件和先进COMS芯片通过TSV技术完成超短距离高速电学互连，实现高速宽带硅光互连。

    一种混合键合实现方法
    66.
    发明授权
    一种混合键合实现方法 有权

    公开(公告)号：CN103474366B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201310419725.X

    申请日：2013-09-13

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 宋崇申 ,  张文奇

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/304

    摘要： 本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面制作金属凸块；（2）在衬底表面涂覆介质层，覆盖所述金属凸块；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上；（4）使采用以上方法制作的两层衬底相对，使两层衬底表面金属凸块和介质层对准，并通过施加压力和温度条件实现两层衬底的键合。本发明的优点是：采用机械刮平的方式处理衬底表面，获得混合键合结构，整个工艺流程不需要CMP工艺，降低混合键合工艺的难度和成本。

    一种背照图像传感器的制造方法
    67.
    发明授权
    一种背照图像传感器的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103280449B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201310182844.8

    申请日：2013-05-16

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 张文奇

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明公开了一种背照图像传感器的制造方法，包括：在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；将中间晶圆进行减薄；在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；将BSI晶圆进行减薄；在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；划片并键合至基板上。本发明中通过晶圆面对面键合，键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆，省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合，可以降低成本；把不同模块进行三维堆叠，可以减小芯片面积，加快信号传输速度。

    通过制备超细间距微凸点实现金属互连的方法及相应器件
    68.
    发明授权
    通过制备超细间距微凸点实现金属互连的方法及相应器件 有权

    公开(公告)号：CN103258791B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201310186602.6

    申请日：2013-05-16

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 张文奇

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L23/485

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 本发明公开了一种通过制备超细间距微凸点来实现半导体或固体器件金属互连的方法及相应器件，首先沉积碳化硅刻蚀停止层和电解质层，涂胶，干法在电解质层中刻蚀出孔，沉积金属种子层，填充金属，用CMP清除面上的金属，对电解质层进行刻蚀，形成金属露头结构并镀上抗氧化或低熔点的金属，再进行键合，该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至纳米级，远远小于目前的凸点间距尺寸；金属端面比电解质层高，可以克服由于CMP造成的金属表面的凹穴现象，保证在键合时上下金属通过塑性变形能完全接触，对晶圆CMP后的平整度要求降低；可以通过常规的热压法在较低的温度下完成键合，具有成本低的优势。

    一种低成本多层堆叠扇出型封装结构及其制备方法
    70.
    发明公开
    一种低成本多层堆叠扇出型封装结构及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN105405827A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201510977049.7

    申请日：2015-12-22

    申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

    发明人： 陈峰 ,  张文奇

    IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

    摘要： 本发明涉及一种低成本多层堆叠扇出型封装结构及其制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上制作临时键合薄膜和金属球；（2）将第一芯片贴装在临时键合薄膜上，覆盖第一绝缘树脂并减薄；（3）在第一绝缘树脂上面涂覆第二绝缘树脂，在第二绝缘树脂上制作第一种子层，去除承载片和临时键合薄膜；（4）在第一芯片的正面制作第三绝缘树脂和第二种子层，在第二种子层上制作导电线路，导电线路分别与金属球和第一芯片的焊盘；（5）在导电线路表面制作第四绝缘树脂，在第四绝缘树脂表面形成开口露出导电线路；（6）制作焊球；（7）在第一芯片的背面堆叠第二芯片。本发明降低制作成本，提高芯片的对准精度，降低了封装产品的高度。