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公开(公告)号：CN106505032A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611152872.5
申请日：2016-12-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481
摘要： 本发明公开了一种半导体器件的导通孔结构的制作方法，包括：在半导体器件的导通孔中进行不完全电镀处理，以使电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙；对电镀材料的表面进行表面预处理；在电镀材料中间形成的空隙中填充有机聚合物；在半导体器件表面依次溅射下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；在种子层上方制作与导通孔位置对应的微凸点。本发明提供的半导体器件的导通孔结构的制作方法，实现了半导体器件的导通孔结构的完全填充，避免了孔内缺陷。
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公开(公告)号：CN106783797A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611152903.7
申请日：2016-12-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/522 , H01L23/535
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括：半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；依次形成在半导体器件表面的下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；微凸点，形成在种子层上方，且与导通孔的位置对应。本发明实施例提供的半导体器件的导通孔结构，避免了半导体通孔结构中出现缝隙以及应力集中的问题。
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公开(公告)号：CN106206252B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610510595.4
申请日：2016-06-30
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法，其包括如下步骤：制备化学镀液；将半导体基材置于所述化学镀液中，在0～30℃下进行静置，完成有机膜在半导体基材表面的接枝。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：1、本发明的方法中，在F‑的作用下，不需要其他的外加设备和温度条件，即可在半导体基材上制备出均一的厚有机膜；2、步骤简单，易于操作，成本较低，适用于半导体领域和工业生产。
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公开(公告)号：CN106117472B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610510599.2
申请日：2016-06-30
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C08F292/00 , C08F220/06 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/14
摘要： 本发明提供了一种硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，包括以下步骤：将带有硅通孔的硅片进行预处理后，置于电解质溶液中进行化学镀，即可；所述电解质溶液包括以下浓度的各组分：所述表面活性剂的浓度为不超过20g/L，所述有机单体的浓度为不超过其溶解度，所述重氮盐的浓度为0.1～10g/L，所述氟离子的浓度为0.1～8mol/L。本发明方法在F‑离子作用下，不需要其他的外加设备和温度条件，即可在硅通孔内壁上制备出均一且保型性较好的具有大深宽比的有机膜；且所述步骤简单易于操作，成本较低，适用于半导体领域和工业生产。
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公开(公告)号：CN106229268A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610579928.9
申请日：2016-07-21
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L21/56 , C08F120/06
CPC分类号： H01L21/56 , C08F120/06
摘要： 本发明涉及一种在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法，包括以下步骤：将带有微孔的导体或半导体基材经过表面预处理后，放入配置好的水相溶液中进行化学接枝，最终实现在微孔中自底向上的填充有机聚合物。本发明的特点在于：在小的微孔中通过化学接枝填充有机聚合物，可解决一般涂覆或旋涂方法无法实现的无缺陷填充问题，同时根据使用目的所填充的有机聚合物可相应地起到绝缘、应力缓冲以及提高多孔材料耐腐蚀的作用，可广泛用于各种材料的表面处理，以及高端电子器件的微电子制造领域。
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公开(公告)号：CN103728352B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310694380.9
申请日：2013-12-17
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G01N27/26
摘要： 本发明涉及一种铜互连电镀添加剂的评价方法，包括如下步骤：步骤（1）将一种具有表面形貌特征的金属电极作为工作电极测定电化学曲线；步骤（2）将一种平面的金属电极作为工作电极测定电化学曲线；步骤（3）通过步骤（1）和（2）测量电化学曲线过程中还原铜的电量，确定具有表面形貌特征的金属电极的有效表面积；利用具有表面形貌特征的金属电极和所述添加剂测定电化学曲线；步骤（4）利用平面的金属电极和所述添加剂测定电化学曲线；比较步骤（3）与（4）中电化学曲线测定的铜的电沉积速率，获得添加剂的作用效果。本发明能有效评价添加剂在孔底和孔口的作用效果，对铜互连沟道及通孔的填充具有指导作用，可促进电镀铜填充孔的工艺研发。
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公开(公告)号：CN106229268B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201610579928.9
申请日：2016-07-21
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L21/56 , C08F120/06
摘要： 本发明涉及一种在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法，包括以下步骤：将带有微孔的导体或半导体基材经过表面预处理后，放入配置好的水相溶液中进行化学接枝，最终实现在微孔中自底向上的填充有机聚合物。本发明的特点在于：在小的微孔中通过化学接枝填充有机聚合物，可解决一般涂覆或旋涂方法无法实现的无缺陷填充问题，同时根据使用目的所填充的有机聚合物可相应地起到绝缘、应力缓冲以及提高多孔材料耐腐蚀的作用，可广泛用于各种材料的表面处理，以及高端电子器件的微电子制造领域。
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公开(公告)号：CN106206542A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610579935.9
申请日：2016-07-21
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构，包括半导体基材，所述半导体基材上设有若干盲孔或通孔，所述盲孔或通孔内部分填充有镀铜层，所述镀铜层上化学接枝有有机聚合物，在实现了铜和有机聚合物填充的基材表面设有微凸点。所述成型方法包括如下步骤：将具有铜镀层的半导体基材置于化学镀液中进行化学接枝，在所述铜镀层的表面接枝出聚合物层；在半导体基材的正面进行抛光后，溅射出下金属层和铜种子层；在所述铜种子层的表面涂覆光刻胶后，电镀出微凸点，最后去除光刻胶。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：本发明提供的方法操作简单、方便，制造工艺要求低，能很好地降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN103700619B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310697825.9
申请日：2013-12-17
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L21/768 , H05K3/42 , C25D5/08
摘要： 本发明涉及一种铜互连电镀填充方法，包括以下步骤：将用于孔填充的镀铜液作为电解液，放入三电极体系中，测量其电化学曲线；根据电化学曲线确定电流峰和电流谷分别对应的电压值；将具有孔结构的样品作为工作电极放入三电极体系中，使孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，通电后取出；测量孔截面各处填充铜的厚度，其最厚处对应于电化学曲线上电流峰的位置；调整镀铜液的浓度，改变其电化学曲线上电流峰和电流谷的位置，使在电镀铜过程中孔表面的电压对应于电化学曲线上电流谷对应的电压，孔底的电压对应于电化学曲线上电流峰对应的电压，即可。本发明能够实现镀铜无缺陷的完美填充，而且操作简便，可广泛用于各种高端电子制造领域。
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公开(公告)号：CN103728352A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310694380.9
申请日：2013-12-17
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G01N27/26
摘要： 本发明涉及一种铜互连电镀添加剂的评价方法，包括如下步骤：步骤（1）将一种具有表面形貌特征的金属电极作为工作电极测定电化学曲线；步骤（2）将一种平面的金属电极作为工作电极测定电化学曲线；步骤（3）通过步骤（1）和（2）测量电化学曲线过程中还原铜的电量，确定具有表面形貌特征的金属电极的有效表面积；利用具有表面形貌特征的金属电极和所述添加剂测定电化学曲线；步骤（4）利用平面的金属电极和所述添加剂测定电化学曲线；比较步骤（3）与（4）中电化学曲线测定的铜的电沉积速率，获得添加剂的作用效果。本发明能有效评价添加剂在孔底和孔口的作用效果，对铜互连沟道及通孔的填充具有指导作用，可促进电镀铜填充孔的工艺研发。
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