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公开(公告)号：CN102890962B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110203009.9
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器多级存储系统该系统包括由若干个相变存储单元（511、512）构成的相变存储阵列（510）、与所述相变存储阵列相连的行译码器（520）、列译码器（530）、写驱动电路（730）以及读出功能电路（720）；所述行列译码器（520、530）用于选中所述相变存储单元；接着通过控制信号（770）控制写驱动电路（750）通过控制信号（770）在所属相变存储单元上写入相应的数据；所述读出功能电路（720）通过控制信号（770）在经过判别步骤后将读出结果输到I/O口（760）中。本发明的优点在于解决了相变储存器的多级存储中的不稳定性，符合相变存储器对高密度和可靠性的要求。
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公开(公告)号：CN102841674B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210259941.8
申请日：2012-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到所述新型非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN104201282A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410504612.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极，所述上电极呈条状等间距排布，且与所述相变材料层相互垂直。本发明的相变存储器通过将整条的相变材料覆盖在多个下加热电极上，从而将各个分立的相变存储单元连接在一起，可以通过控制信号输入完成块擦除，解决了现有相变存储器不能完成块操作的缺陷；同时也可以通过控制信号端和电极进行选择性单元数据擦除，大大提高了数据擦除效率。
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公开(公告)号：CN103049397A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210559664.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区，其中，所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块，所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表，本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法，实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作，以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。
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公开(公告)号：CN102923676A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210414938.9
申请日：2012-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上的元素按任意比例所组成的化合物。本发明针对硫系化合物所独有的阈值导通特性来实现对电路的过压保护，其工作原理与半导体浪涌保护器件完全不同，是一种新型的浪涌保护器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102831931A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110164882.1
申请日：2011-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C14/00
Abstract: 本发明提供一种具有掉电数据保持功能的触发器，应用于集成电路系统中，其至少包括：具有数据输出端及数据恢复置位端的双置位端触发单元；用于根据电源电压发出掉电或上电置位信号的电源监测单元；用以生成set或reset信号的信号生成单元；以及相变存储单元，该相变存储单元在掉电时写入与所述set或reset信号相对应的数据至所述存储器中，在上电时，自所述存储器中读出存储的数据并输出给所述双置位端触发单元的数据恢复置位端，以使所述双置位端触发单元恢复掉电数据，藉此发明以实现数据保持所需的操作时间在纳秒量级以及可长时间保持的目的，进而降低高速掉电数据保护电路设计的成本。
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公开(公告)号：CN101951144A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225592.9
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供一种高效电荷泵及其工作方法，包括：用于产生非交叠第一时钟信号和第二时钟信号的时钟发生器；电荷转移电容；包括分别连接在所述电荷转移电容的上极板和下极板的第一受控开关和第二受控开关的充电电路；包括分别连接在所述电荷转移电容上极板和下极板的第三受控开关和第四受控开关、及稳压电容的电荷转移电路；用于产生参考电压的参考电压发生电路；以及输入端分别连接在所述参考电压发生电路的输出端和所述电荷转移电容的下极板的比较电路，其在电荷转移电容每次将电荷转移至电荷泵输出端时，都将电荷转移电容的下极板的电压限定在特定的电压，而非其能够达到的电压，由此，可增加电荷泵电路的转换效率。
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公开(公告)号：CN101777388A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN101329906A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040949.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种非易失顺序模块式存储器，所述存储器被分割为若干存储块，每个存储块的数据信息分配一个统一的地址，各存储块之间采用随机读写方式，存储块内部采用顺序存储方式。本发明针对大量数据存储，改善RAM式存储方式的缺点，提出一套新型的非易失模块式新型存储器及其存储与读取方法，可以提高相变存储芯片的读写速度、可重复读写次数、降低功耗。
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公开(公告)号：CN112668180A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011579036.1
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以存代算在线学习预测芯片及方法，通过在物联网前端利用较低的计算资源进行数据处理，从而减少数据传输和云中心计算压力，实现在前端设备进行在线学习并实时性数据更新的数据预测方案。使用以存储方式代替复杂计算的技术方式，构建存算单元阵列和单元间互连线。单元互连线连接各个存算单元，各个单元通过互连线连通协同工作解决复杂问题，存算单元内部包括：I/O访问、数据比对、误差统计、分辨聚类、任务管理、任务分发、预测收集及管理、模型输出等系统模块。本发明能够减少数据传输和云中心计算压力。
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