-
公开(公告)号：CN202903388U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220431433.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置，属于电子信息技术领域。实验装置主要由压头，实验试样，试样载台和铂金电加热片四部分组成。所述的试样载台上开有一个通孔，且直径要比试样中Cu孔的直径要大。试样载台位于最下部，实验试样在试样载台上，并且实验试样中硅通孔同试样载台中的通孔对中。铂金电加热片共四片，位于实验试样上表面硅通孔的四周。本实用新型的装置进行测试时能够最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响原结构形貌导致残余应力释放等的操作，使得测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。
-
公开(公告)号：CN202633291U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201120569858.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开了一种芯片上芯片封装结构。本封装包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、母IC芯片、子IC芯片、隔片、粘贴材料、绝缘填充材料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。母IC芯片配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置，子IC芯片上配置于母IC芯片的上方。母IC芯片和子IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚。塑封材料通过包覆母IC芯片和子IC芯片形成封装件。本实用新型是基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构。
-
公开(公告)号：CN202275815U
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201120432480.0
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开了一种高密度四边扁平无引脚封装。本高密度四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本实用新型突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。
-
公开(公告)号：CN203055893U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220699914.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种再布线热增强型FCQFN封装器件。在再布线热增强型FCQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中、在IC芯片上方配置散热片或者在IC芯片下方配置导热片以提升封装器件的散热性能，绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面，采用塑封材料进行包封。本实用新型采用的再布线层可使封装器件的尺寸大幅减小，降低了制造成本，提升了封装器件的良率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN202996819U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220700183.4
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/49 , H01L23/12 , H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73265
Abstract: 本实用新型公开了一种再布线热增强型AAQFN封装器件。在再布线热增强型AAQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中或者在IC芯片上方配置散热片以提升封装器件的散热性能，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于引脚的下表面，引脚在封装器件中呈面阵排列，绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间，采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202996823U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220700838.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种再布线面阵排列FCQFN封装器件。该器件包括：引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；第一金属材料层通过再布线层实现与引脚的连接；IC芯片通过焊接材料倒装焊接于第一金属材料层；第二金属材料层配置于引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、焊接材料、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。制造形成的再布线面阵排列FCQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
-
公开(公告)号：CN202996809U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220700000.9
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种再布线AAQFN封装器件。该器件包括：多个引脚在封装器件中呈面阵排列；绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件的中心位置；第一金属材料层围绕IC芯片排列；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；第二金属材料层配置于引脚的下表面；IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层；塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层和再布线层，仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。制造形成的再布线AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
-
公开(公告)号：CN202495443U
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201120570880.8
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开了一种芯片上倒装芯片封装。本封装包括引线框架、第一、第二金属材料层、母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、下填料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。母IC芯片通过粘贴材料配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置，具有凸点的子IC芯片倒转焊接配置于母IC芯片的有缘面上。下填料配置于母IC芯片与具有凸点的子IC芯片之间。塑封材料包覆母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、粘贴材料、下填料、第一金属导线和引线框架。本实用新型提供了基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构。
-
公开(公告)号：CN202996811U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220700823.1
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/11 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265
Abstract: 本实用新型公开了一种再布线FCQFN封装器件。该器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；第一金属材料层通过再布线层实现与引脚的连接；IC芯片通过焊接材料倒装焊接于第一金属材料层；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、焊接材料、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。该器件具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
-
公开(公告)号：CN203134779U
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201220700797.2
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开了一种先进四边扁平无引脚封装结构，包括方案一：芯片载体配置于封装结构的中央部位，芯片载体下方具有用于接地的引脚，相邻引脚之间具有凹槽，外围的引脚具有台阶结构；多个引脚围绕芯片载体呈多圈排列，引脚具有台阶结构。方案二：多个引脚在封装结构中呈面阵排列，引脚具有台阶结构。在这两种方案中都采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包封。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.022 seconds)
