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公开(公告)号：CN115458592A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211263370.5
申请日：2022-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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公开(公告)号：CN110376500B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910681701.9
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源‑漏电压VDS和不同源‑漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源‑漏电压VDS和源‑漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。
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公开(公告)号：CN114217198A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111482805.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于短脉冲大电流的碳化硅MOSFET模块热阻测量方法，可用于碳化硅MOSFET模块或者分立器件的热阻准确测量。所述测量方法的适用条件为，(1)给定了施加栅压的区间；(2)给定了加热栅压与测试栅压的施加条件；(3)给定了测试电流的选取范围；(4)给定了脉冲宽度的选取标准。首先，根据适用条件做出特定测试脉冲电流等级下的校温曲线，得到温敏系数K值，利用测试源表及散热平台先进行碳化硅MOSFET分立器件的热阻测量，通过数据手册上的热阻值验证该测试条件的可行性，并用碳化硅MOSFET模块进行热阻测量的验证。利用该适用条件，可在短脉冲大电流正向导通压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现碳化硅MOSFET模块结温及热阻的测量。
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公开(公告)号：CN109738777B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极‑地连接高速开关和发射极‑地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极‑集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极‑集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极‑发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109570811B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106920742B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710054075.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以保证性能达到稳定；(4)测试DLTS深能级瞬态谱，确定缺陷能级位置、浓度及俘获截面参数；(5)测试电学特性参数，包括正向特性、反向特性及开关特性；(6)进行批量加工生产。本发明可以通过改变电子辐照条件控制缺陷能级位置、浓度等参数，重复性好，在进行前期测试后可以进行批量加工，实现按照生产需求定向优化器件各项性能的目标。
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公开(公告)号：CN107367655B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710665581.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置，属于微波真空电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪、加热探头、测试探头和被测行波管收集极。将测试探头放在被测行波管收集极两侧的对称位置，加热探头放置在行波管收集极上方，在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到行波管收集极，然后经收集极管壳散热到周围环境，两侧测试探头的电学温敏参数变化经采集卡采集，得到两侧测试探头温度上升曲线对比，并经计算得到行波管收集极整体热阻和两侧散热性能差异，从而得出行波管收集极焊接的好坏。本发明实现了非破坏性地检测行波管收集极的散热特性，测量无损伤、周期短、精度高、成本低。
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公开(公告)号：CN110348254A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910593530.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于环形振荡器实时监测FPGA硬件木马的方法，属于集成电路芯片安全及可靠性领域，是一种动态、非破坏性实时检测FPGA硬件木马的方法。本发明在FPGA中不同位置嵌入环形振荡器，通过频率计数器与通信模块、电脑PC，实时显示各个环形振荡器的频率。当硬件木马在特定情况下开启时，会引起电源线上电压产生一个突变，导致环形振荡器的频率产生突变。本发明能够在FPGA的使用周期内，实时监控硬件木马，操作简单，不受工艺的影响。
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公开(公告)号：CN109709141A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极-发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN106124952B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610405945.0
申请日：2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域，传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在，以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入，双输出，在时间上离散的动态系统。其中输入为上一时刻的热功率矩阵双输出分别为本时刻的结温及热功率矩阵通过不断递归运算对半导体器件结温进行实时，有效的校准。本发明是一种利用线性系统状态方程，通过系统输入观测系统输出，对系统状态进行最优估计的算法。该算法能在测量方差已知的情况下从一系列存在噪声的数据中，估计动态系统的状态，获得更为接近真实值的数据。
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