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公开(公告)号：CN120014773A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510191842.8
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京市自来水集团有限责任公司 , 北京工业大学
Abstract: 本申请提供一种火烟检测方法和装置，方法包括：将拍摄的厂房视频数据，分别输入至已训练的对应各个检测内容的火焰检测算法和烟雾检测算法，得到多个视频帧的火焰检测置信度和烟雾检测置信度；根据所述火焰检测置信度和烟雾检测置信度，确定火灾检测结果；若所述火灾检测结果为出现火灾，触发厂房的火灾报警。由于火灾检测结果是根据火焰检测置信度和烟雾检测置信度综合得到的，因此本申请可以提高火灾检测的准确性，防止浪费报警资源。
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公开(公告)号：CN113868922B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111178653.5
申请日：2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F17/11 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种用于氢能源汽车密封圈的膨胀失效分析方法，搭建密封圈材料的本构方程和能量守恒方程建立膨胀失效模型。密封圈材料内部裂纹的形变量使用图像处理的方式求解，由此可将密封圈内部损伤信息可视化表达。对样本图片进行周期处理，去除相互接触以及重叠损伤的区域，保留完整单一周期性的空腔，进行二值化处理及计算。本发明将密封圈失效机理仿真与机器学习相结合，机器学习方法将密封圈工况下的状态进行可视化，探究内部气泡生长过程，结合气泡直径推导出密封圈材料的应变，带入密封圈本构方程表达式内，使用有限元分析方法，得出应力与应变之间的关系式，求出密封圈密封失效的依据。
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公开(公告)号：CN111537604B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202010233684.5
申请日：2020-03-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N29/04 , G01N29/265 , G01N29/28 , G01N29/44
Abstract: 本发明公开了基于水膜耦合导波检测的复合材料板自动化检测成像方法，根据板层结构与板的材质建立物理模型，采用计算机计算该材料板的频散曲线，根据频散曲线计算声波传播时不同模态的波长。安装一对水膜耦合导波传感器，计算机接收到信号后记录该信号，将直达波与直达波后一定时间范围内的信号幅值量进行求和累加。将累加值记录在计算机中。控制该扫描检测装置，标记不同直达波信号累加值所对应在实体板材上的扫描段，结合所对应的坐标将指标引入计算机的虚拟板材，实现缺陷检测与成像。本发明能够有效克服导波在复合材料板上无法兼顾自动化与高频高精度检测的缺点，对提高复合材料板的检测精度与效率有非常重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN115458592A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211263370.5
申请日：2022-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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公开(公告)号：CN113868922A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111178653.5
申请日：2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F17/11 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种用于氢能源汽车密封圈的膨胀失效分析方法，搭建密封圈材料的本构方程和能量守恒方程建立膨胀失效模型。密封圈材料内部裂纹的形变量使用图像处理的方式求解，由此可将密封圈内部损伤信息可视化表达。对样本图片进行周期处理，去除相互接触以及重叠损伤的区域，保留完整单一周期性的空腔，进行二值化处理及计算。本发明将密封圈失效机理仿真与机器学习相结合，机器学习方法将密封圈工况下的状态进行可视化，探究内部气泡生长过程，结合气泡直径推导出密封圈材料的应变，带入密封圈本构方程表达式内，使用有限元分析方法，得出应力与应变之间的关系式，求出密封圈密封失效的依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111537604A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010233684.5
申请日：2020-03-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N29/04 , G01N29/265 , G01N29/28 , G01N29/44
Abstract: 本发明公开了基于水膜耦合导波检测的复合材料板自动化检测成像方法，根据板层结构与板的材质建立物理模型，采用计算机计算该材料板的频散曲线，根据频散曲线计算声波传播时不同模态的波长。安装一对水膜耦合导波传感器，计算机接收到信号后记录该信号，将直达波与直达波后一定时间范围内的信号幅值量进行求和累加。将累加值记录在计算机中。控制该扫描检测装置，标记不同直达波信号累加值所对应在实体板材上的扫描段，结合所对应的坐标将指标引入计算机的虚拟板材，实现缺陷检测与成像。本发明能够有效克服导波在复合材料板上无法兼顾自动化与高频高精度检测的缺点，对提高复合材料板的检测精度与效率有非常重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN116794475A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310743955.5
申请日：2023-06-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法，该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数，从而锁定该陷阱。包括：(1)选取测试条件，排除碳化硅材料陷阱的影响，获取IDS随时间的瞬态变化曲线；(2)利用贝叶斯反卷积的方法，分析IDS随时间的瞬态变化曲线，获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息；(3)根据陷阱的时间常数，给定不同脉宽的填充栅压，测试阈值电压漂移，并与陷阱峰幅值变化对应；(4)给定不同间隔时间的选取标准，将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应，判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法，实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
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公开(公告)号：CN112213394B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202011215667.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种复合材料的综合检测方法及系统，所述综合检测方法将超声导波检测技术与超声波检测技术结合，利用超声导波技术检测范围大的优点，首先粗略的确定缺陷区域，再利用超声波检测技术检测精度高的优点，在粗略确定的缺陷区域进一步的对缺陷进行确定，保证了检测精度，而且无需对复合材料整体进行超声波检测，提高了检测速度。
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公开(公告)号：CN119946229A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510105616.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 北京市自来水集团有限责任公司 , 北京工业大学
Abstract: 本申请提供一种基于客户端的检测报警方法和装置，包括：访问所述交互服务器，以获取功能设置列表并显示于当前客户端；功能设置列表包括多个厂房摄像头的报警功能选项；根据用户对功能设置列表的各个报警功能选项的开关操作，得到各个厂房摄像头的开关字符串；接收推理服务器经由交互服务器下发的安全检测字符串；安全检测字符串由厂房安全检测结果转换得到，厂房安全检测结果由推理服务器检测厂房摄像头拍摄的视频数据得到；根据开关字符串和安全检测字符串，得到各个厂房摄像头的报警字符串；根据报警字符串下载对应的厂房安全检测结果的厂房视频报警图像。本申请可以提高检测报警方法的灵活性。
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公开(公告)号：CN112461452A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011056360.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种本质安全的扫描式光学氢气泄漏监测方法，属于高压氢气监测技术领域。首先用激光源发出光线并形成平行光，平行光照射待储氢罐表面。当储氢罐内的高压氢气发生泄漏时，光线会形成132°的扇形发射区，运用CCD相机对其进行拍照并且记录下扇形发射区的图像，将记录的图像进行数字图像处理，根据处理后的图像判断泄漏口的位置以及大小。当高压氢气没有发生泄漏时，平行光会直接通过待测物体表面，CCD相机拍下的图片中没有扇形发射区。本方法简单检测方便，克服了一般传感器缺乏针对性的可能，整个检测方法更加的安全。
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