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公开(公告)号：CN113176293B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110334082.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括：测温芯片和被测样品，其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端，以及由多晶硅图形的微加热器结构；被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成，表面经过光刻等工艺处理，形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片，将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式，通过测温芯片采集温度响应曲线，对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解，直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致，即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号：CN109738777B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极‑地连接高速开关和发射极‑地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极‑集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极‑集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极‑发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109570811B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
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公开(公告)号：CN107367655B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710665581.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置，属于微波真空电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪、加热探头、测试探头和被测行波管收集极。将测试探头放在被测行波管收集极两侧的对称位置，加热探头放置在行波管收集极上方，在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到行波管收集极，然后经收集极管壳散热到周围环境，两侧测试探头的电学温敏参数变化经采集卡采集，得到两侧测试探头温度上升曲线对比，并经计算得到行波管收集极整体热阻和两侧散热性能差异，从而得出行波管收集极焊接的好坏。本发明实现了非破坏性地检测行波管收集极的散热特性，测量无损伤、周期短、精度高、成本低。
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公开(公告)号：CN110348254A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910593530.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于环形振荡器实时监测FPGA硬件木马的方法，属于集成电路芯片安全及可靠性领域，是一种动态、非破坏性实时检测FPGA硬件木马的方法。本发明在FPGA中不同位置嵌入环形振荡器，通过频率计数器与通信模块、电脑PC，实时显示各个环形振荡器的频率。当硬件木马在特定情况下开启时，会引起电源线上电压产生一个突变，导致环形振荡器的频率产生突变。本发明能够在FPGA的使用周期内，实时监控硬件木马，操作简单，不受工艺的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109061429A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
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公开(公告)号：CN108061611A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711300702.1
申请日：2017-12-10
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01K13/00 , G01K15/005
Abstract: 本发明公开了一种利用FPGA嵌入式环形振荡器测量温度分布的装置和方法，该装置包括被测芯片、FPGA核心板、USB转串口、串口线、温箱、PC机和串口传输软件；温箱通过USB转串口、串口线与PC机连接；FPGA核心板设置在温箱中；被测芯片与FPGA连接，串口传输软件设置在PC机中。利用FPGA内部资源搭建的可重构环形振荡器的延迟与温度的对应关系实现探测温度。被探测温度可以转换成一个随温度比例变化的时间信号，输出的频率被一个带扫描回路的计数器读出，然后通过串口传回到电脑的上位机，得到被测芯片各个不同位置的温度。通过不断扫描环形振荡器得到温度分布，改变传感器位置多次测量最终得到芯片的整体温度分布。
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公开(公告)号：CN109061429B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
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公开(公告)号：CN107490736B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710665603.7
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量电子功能模块内部温度和热阻构成的方法及装置，涉及功率电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪，加热和测试探头和被测模块。将被测模块放置在恒温平台上，加热探头紧贴于被测模块上表面并保持良好接触，加热探头在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经过被测模块传递到恒温平台，然后测量探头在冷却过程中电学温敏参数的变化，得到探头经被测模块到恒温平台的热阻构成，进而计算得到电子功能模块的热阻构成。本发明实现了无损检测电子功能模块的热阻构成并根据表面温度推算其内部温度，填补了相关技术的空缺。
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公开(公告)号：CN108287300A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810040682.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置属于半导体器件测量技术领域。本发明设计了包括：采用FPGA产生脉宽可调的测试信号；设计了MOSFET栅极驱动电路及栅极测试信号的附加电路，在MOSFET处于一个稳定工作的状态下，利用测试信号附加电路，在栅极原有的工作开启电压上叠加一个大小可调的测试信号；检测漏源电压的变化，当其值变化幅度高出设定标准时，监测电路产生一个指示信号传送给FPGA；基于FPGA的内部计时器，将测试信号的产生时刻和指示信号的接收时刻分别记录，求出二者时差，利用时差与温度间的线性关系，结合工作功率反应的结到壳的温差，求解出器件在该工作状态下的结温。
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