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公开(公告)号:CN106124952B
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201610405945.0
申请日:2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域,传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在,以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入,双输出,在时间上离散的动态系统。其中输入为上一时刻的热功率矩阵双输出分别为本时刻的结温及热功率矩阵通过不断递归运算对半导体器件结温进行实时,有效的校准。本发明是一种利用线性系统状态方程,通过系统输入观测系统输出,对系统状态进行最优估计的算法。该算法能在测量方差已知的情况下从一系列存在噪声的数据中,估计动态系统的状态,获得更为接近真实值的数据。
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公开(公告)号:CN106124952A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610405945.0
申请日:2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域,传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在,以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入,双输出,在时间上离散的动态系统。其中输入为上一时刻的热功率矩阵双输出分别为本时刻的结温及热功率矩阵通过不断递归运算对半导体器件结温进行实时,有效的校准。本发明是一种利用线性系统状态方程,通过系统输入观测系统输出,对系统状态进行最优估计的算法。该算法能在测量方差已知的情况下从一系列存在噪声的数据中,估计动态系统的状态,获得更为接近真实值的数据。
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公开(公告)号:CN106054051B
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201610405943.1
申请日:2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法属于电子器件测试领域。半导体器件的浪涌电流是指在工作电源接通的瞬间,流过器件的峰值电流。由于器件自身或电路寄生电容或电路中容性负载的存在,该峰值电流的数值远远大于器件稳态工作状态下的输入电流,瞬态大电流会引起瞬态温升,严重情况下会导致半导体器件的损毁。本方法相较于传统的电学法,将工作电流和测试电流合二为一。通过对待测器件施加持续时间短,幅值递增变化的电压脉冲,建立专用的校温曲线数据库,利用样条插值法对数据库中的数据进行处理;然后,测量浪涌条件下待测器件两端的电压、电流数据;最后,与数据库中校温曲线数据进行对比,获得待测器件在浪涌电流条件下的结温值。
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公开(公告)号:CN104849308A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510243826.5
申请日:2015-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种半导体器件界面热阻的测试方法,在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下,基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量,利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析,提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值,得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总热阻值。接下来对测得的数据进行分析,通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的热阻的增量,同时,通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的热阻的增量,通过以上计算分析,得到要测的器件的界面热阻Rth(界面)。
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公开(公告)号:CN104808130A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510182241.7
申请日:2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置,装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令,FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端,控制MOS组的沟道关断,同时,FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚,经过继电器组,流进外部老化电路中的晶体管的基极,电流通过BE结流回测试模块的回路,通过FPGA控制模块发出指令,通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温,采用电子控制方式断电,能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试,确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号:CN104808130B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201510182241.7
申请日:2015-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置,装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令,FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端,控制MOS组的沟道关断,同时,FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚,经过继电器组,流进外部老化电路中的晶体管的基极,电流通过BE结流回测试模块的回路,通过FPGA控制模块发出指令,通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温,采用电子控制方式断电,能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试,确保试验符合标准要求。
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公开(公告)号:CN106054052A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610405944.6
申请日:2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种半导体器件温度‑电压‑电流三维校温曲面的建立方法属于电子器件测试领域。半导体器件结温作为半导体器件可靠性方面的重要参数,准确、快速测量结温对科研、工程方面具有重要意义。针对半导体器件结温实时测量的要求。本发明根据本数据库能够准确结温。通过高速开关电路等产生不产生自升温的脉冲电流电压并输入待测器件,通过采集电路采集器件两端电应力值。最终测量并建立三维温度‑电压‑电流校温曲线数据库,从而可以在器件工作状态下(包括浪涌电流,高频等),实时检测器件结温。
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公开(公告)号:CN106054051A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610405943.1
申请日:2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26
Abstract: 一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法属于电子器件测试领域。半导体器件的浪涌电流是指在工作电源接通的瞬间,流过器件的峰值电流。由于器件自身或电路寄生电容或电路中容性负载的存在,该峰值电流的数值远远大于器件稳态工作状态下的输入电流,瞬态大电流会引起瞬态温升,严重情况下会导致半导体器件的损毁。本方法相较于传统的电学法,将工作电流和测试电流合二为一。通过对待测器件施加持续时间短,幅值递增变化的电压脉冲,建立专用的校温曲线数据库,利用样条插值法对数据库中的数据进行处理;然后,测量浪涌条件下待测器件两端的电压、电流数据;最后,与数据库中校温曲线数据进行对比,获得待测器件在浪涌电流条件下的结温值。
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公开(公告)号:CN206342759U
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201621143224.9
申请日:2016-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61M5/168
Abstract: 本实用新型公开了医疗输液实时监控装置,属于医疗器械的专用设备技术领域。激光发射模块通过激光发射端子发射出一定频率的激光,经过输液瓶口的折射。数字信号由数字信号无线发射模块里的射频调制器调制到载波上,再通过发射芯片发射出去。发射出去的数字信号经过无线传输,通过数字信号无线接收转换模块里的接收芯片接收后,经过解调器解调成数字信号,当输液瓶内药量不足时,就会发出警报声响提醒值班室的护士换药。实用新型可以有效的实时监测输液药瓶的药物余量,发射出具有一定频率的激光可以屏蔽全波段的太阳光造成的干扰,无需病人或病人家属看着输液进度,减轻了医护工作人员的负担。
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公开(公告)号:CN204815161U
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201520332048.2
申请日:2015-05-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61M5/172
Abstract: 输液自动报警电路结构,内部控制电路中的信号发射模块的红外信号发射管发射出红外信号。红外信号通过输液瓶瓶口的折射,当药品液体高度足够低时,红外信号折射到信号接收模块的红外信号接收管上。光信号通过红外信号接收管转换成电信号。此电信号通过信号处理模块的信号采集电阻采集传输到电压信号比较器进行电压比较处理。电压信号比较器处理后的信号通过信号放大三极管放大,驱动报警模块中的发光二极管和蜂鸣器。此时,发光二极管发出亮光,蜂鸣器发出声响,提醒病人及其家属或是医护人员进行换药或下一步治疗工作。
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