公开(公告)号：CN110376500B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201910681701.9

申请日：2019-07-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  刘博洋 ,  王思晋 ,  魏行 ,  冯士维 ,  果昊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源‑漏电压VDS和不同源‑漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源‑漏电压VDS和源‑漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。

公开(公告)号：CN112014707A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010671317.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  果昊 ,  刘雨浓 ,  魏磊

IPC: G01R31/26 ,  H02M1/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟SiC功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在非饱和区的漏源电流对应的导通压降来计算并提取功率施加期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内；通过采集器件关断状态下的恒定小源漏电流对应的寄生体二极管导通压降来计算并提取功率关断期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内。该方法简单易行，实验成本较低，且不会破坏SiC功率VDMOS器件的封装，通过计算机可实现完全程控，可准确测量与控制SiC功率VDMOS器件的结温。

公开(公告)号：CN110376500A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910681701.9

申请日：2019-07-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  刘博洋 ,  王思晋 ,  魏行 ,  冯士维 ,  果昊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源-漏电压VDS和不同源-漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源-漏电压VDS和源-漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。