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公开(公告)号：CN101000949B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610011136.8
申请日：2006-01-09
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 利用光子晶体多层膜提高有机电致发光器件色纯度的方法，在有机电致发光器件的输出光路上ITO层中利用自组装技术制备一个SiO2纳米微球光子晶体多层膜，通过选择不同直径大小的SiO2纳米微球可以改变该薄膜层光子禁带的位置，从而改变禁止和允许通过光的频率范围。通过禁止那些处于不需要的频率范围内的光子出射就可以改善有机电致发光器件的色纯度。和现有的添加滤光片、利用微腔结构和制备分布式布拉格反射器提高发光器件色纯度的方法相比，它工艺简单，成本较低，同时减少了因光吸收和平面光波导效应所带来的光能浪费。
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公开(公告)号：CN101586986A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910088435.5
申请日：2009-07-07
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种光纤光栅波长解调系统，属于光纤传感、光学测量技术领域。该解调系统包括：宽带光源(1)、可调谐滤波器(2)、1×2耦合器、波长标定模块、光电探测器、1×N光开关(5)、信号处理系统。波长标定模块内部的连接为：标准具滤波器(6)一端接第三1×2耦合器(11)的一个输出端，标准具滤波器的另一端接参考光栅(10)，第三1×2耦合器的输入端接第一1×2耦合器(7)的一个输出端；第三1×2耦合器的另一输出端经第二光电探测器(4)接入信号处理系统(9)，实现波长标定。通过标准具滤波器和参考光栅可快速精确实现对反射回光纤光栅波长的标定，有效达到高精度解调出信号的目的。本系统可用于温度、应力等物理量的监测。
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公开(公告)号：CN101550328A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910081389.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种微胶囊包覆的相变材料的制备方法，1.按石蜡：甲基丙烯酸甲酯的质量比1∶3取料；2.按1中总质量的0.5％称取二甲基丙烯酸乙二醇酯、1％甲基丙烯酸，1％十二烷基硫酸钠，1.5％过硫酸钾，1％～15％铁氧体，400％去离子水；3.将十二烷基硫酸钠加入到去离子水中，加热至50℃；4.将铁氧体和融化的石蜡加到3的溶液中；5.超声乳化，加入甲基丙烯酸甲酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯和甲基丙烯酸；6.再乳化，将得到的溶液移入有机械搅拌、冷凝管、进气及加料口的装置里；7.通气除氧0.5小时，水浴加热至70℃，加入过硫酸钾，降至室温，得到微胶囊包覆的相变材料。用于建筑、蓄热调温纺织及电子设备等领域。
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公开(公告)号：CN100502089C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610011204.0
申请日：2006-01-17
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 利用光子晶体异质结提高有机电致发光器件色纯度的方法，在有机电致发光器件的输出光路上ITO层中设置一个光子晶体异质结区，该异质结由n个利用自组装技术制备的SiO2纳米微球光子晶体多层膜组成，n为自然数且2≤n≤5；异质结中每个多层膜光子禁带的位置可以通过选择不同直径的纳米微球的方法来调节；通过调节这些光子晶体多层膜反射光的频率范围使它们都能允许处于所需频率范围内的光通过，而反射处在该频率范围之外的出射光就可以提高有机电致发光器件的色纯度；和现用的添加滤光片、利用微腔结构和制备分布式布拉格反射器提高发光器件色纯度方法相比，它工艺简单，成本较低，减少了因光吸收和平面光波导效应所带来的光能浪费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112630146A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011345392.7
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供了一种时空泵浦探测控制系统及方法，所述系统包括超快飞秒激光器、光参量振荡器、位移延迟模块、微驱转动模块、物镜、样品台、光电耦合放大器和计算机终端；本发明所述的控制系统集成了时间分辨的泵浦探测和时空分辨的泵浦探测两种功能。本发明可实现全自动控制下的泵浦探测时间分辨扫描、一维时空分辨扫描和二维时空分辨扫描，实时数据可视化并同步写入批处理文件。本发明旨在改进时空分辨扫描操作的复杂程度，缩短测试周期，提高探测效率，确保数据结果的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103258859A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310195082.5
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO；InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～2，y=0～0.1，Z=0～0.1，厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。
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公开(公告)号：CN101824306B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010131608.X
申请日：2010-03-23
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：按石蜡∶苯乙烯的质量比为2∶5取料；按石蜡和苯乙烯总质量的5％称甲基丙烯酸，0.5％～2％十二硫醇，2％～5％十二烷基苯磺酸钠，2％～10％过硫酸钾；将苯乙烯、甲基丙烯酸、十二硫醇加入到去离子水中，搅拌得到溶液；将石蜡融化加入上述溶液中；溶解十二烷基苯磺酸钠加热至50℃，加入到上述混合溶液中，超声乳化后，加入四口容器；通氮0.5h，水浴至70℃，搅拌，再加入过硫酸钾溶液，聚合；冷却、真空抽滤、干燥得到样品。解决了包覆材料种类单一问题，增强了相变微胶囊的实用性，相变温度范围得到扩展，扩大了相变微胶囊的应用范围。
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公开(公告)号：CN102569483A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110427751.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚的MgxZn1-xO过渡层，其中X＝0.16-0.20；接着在相同生长温度下生长第二层2-10nm厚的MgyZn1-yO过渡层，其中Y＝0.26-0.40；步骤四 在生长温度400-500℃下，生长MgZZn1-ZO薄膜，其中Z＝0.43-0.55；步骤五在MgZZn1-ZO薄膜上，制备厚度100-150nm的金属电极，其中金属材料是Al、Au、Pt。制备工艺简单、成本低。
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