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公开(公告)号：CN119846902A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411427818.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法、图案形成方法、及半导体装置的制造方法。本发明的课题为提供一种可形成会表现优异的加工耐性及优异的气体穿透性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。其解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，包含：(A)具有下列通式(I)及/或(II)表示的重复单元结构的酚醛清漆树脂、及(B)有机溶剂。#imgabs0#R1在同一树脂中，为至少2种以上的组合，为氢原子、取代或非取代的碳数1～20的直链状或分支状或环状的烷基、取代或非取代的碳数2～20的直链状或分支状或环状的烯基、或取代或非取代的碳数2～20的直链状或分支状或环状的炔基。n1为1以上的整数。
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公开(公告)号：CN119270590A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410890067.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供能形成显示出优异的耐干式蚀刻性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成方法和图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法的特征在于，为在基板上形成抗蚀剂下层膜的方法，包括如下工序：(i)在前述基板上涂布包含(A)聚合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物而得到涂膜，将该涂膜供于在100℃以上且800℃以下的温度下10秒～7,200秒钟的热处理而使其固化，由此形成下层膜前体膜的工序；及，(ii)通过等离子体照射使前述下层膜前体膜发生固化，形成抗蚀剂下层膜；作为前述(A)聚合物，使用在构成前述聚合物的重复单元中不含羟基和下述通式(1)所示的有机基团的含芳香环树脂。(通式(1)中，p为0或1，*为键合部。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113341646B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110219930.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供一种有机膜形成材料，其特征为包含下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1)中，X为碳数2～50的n价有机基团或氧原子，n为1～10的整数，R1独立地为下述通式(2)中任一者。#imgabs1#该通式(2)中，破折线表示键结到X的键结部位，Q1为含有羰基的1价有机基团，且至少一部分为下述通式(3)表示的基团。#imgabs2#该通式(3)中，破折线表示键结部位，X1表示单键、或碳数1～20的2价有机基团，且该有机基团具有芳香环时也可具有取代基。R2表示氢原子、甲基、乙基、或苯基。**表示键结部位。
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公开(公告)号：CN119101081A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410713945.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、含金属的膜形成用化合物的制造方法、及图案形成方法。本发明提供对比已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋特性及/或高程度的平坦化特性的含金属的膜形成用化合物。一种含金属的膜形成用化合物，是(A)含金属的膜形成用化合物，是来自将式(A‑1)表示的金属化合物予以水解或缩合、或水解缩合而获得的含金属的化合物的化合物，更带有来自下式(1)表示的有机化合物的配位子。M(OR1A)4 (A‑1)，R2ACOXCOOH (1)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119087741A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410712822.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有(A)树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂，前述(A)树脂的重均分子量为3,000～10,000，前述(A)树脂是(A‑1)含有苯酚性羟基及苯酚性羟基被修饰的基团的树脂、或(A‑2)含有苯酚性羟基的树脂及含有苯酚性羟基被修饰的基团的树脂的混合物，当前述(A)树脂中含有的苯酚性羟基的比例为a、苯酚性羟基被修饰的基团的比例为b时，符合a+b＝1、0.1≤a≤0.5、0.5≤b≤0.9的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112180686B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN118772680A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410427614.1
申请日：2024-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物。[课题]提供化合物和含有该化合物的有机膜形成用材料，所述化合物能够形成即便在非活性气体中的成膜条件下也会固化，不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋或平坦化特性优异，且对于基板的密合性也良好的有机膜。[解决手段]一种有机膜形成用材料，其特征在于，其含有(A)下述通式(1A)所示的有机膜形成用化合物和(B)有机溶剂。(式中，Y为n1价的有机基团、3价的氮原子或4价的碳原子，n1为3～8的整数，X为下述通式(1B)所示的部分结构。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112213919B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010660845.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN112859516B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN118584753A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410227847.7
申请日：2024-02-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜，且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料，包含：(A)不含有酚性羟基的化合物、或酚性羟基经修饰而该酚性羟基的残存率未达2％的化合物，且该化合物的以凝胶渗透层析法所为的聚苯乙烯换算重均分子量为2,500以下的化合物，(B)下列通式(1)所示的含有酚性羟基的交联剂，(C)碱产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#式中，Q为单键、或碳数1～20的q价烃基。R16为氢原子、或碳数1～20的烷基。q为1～5的整数。
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