公开(公告)号：CN102460866A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026837.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  德山慎司 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  池上隆俊 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2004 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18 ,  H01S2302/00

Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。

公开(公告)号：CN102422495A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020691.1

申请日：2010-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。

公开(公告)号：CN102318152A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156981.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  盐谷阳平

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

公开(公告)号：CN101308896B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810097184.2

申请日：2008-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。亦即，在GaN衬底(30)中，生长面(30a)是已被偏离定向的m-面或a-面。由于，m-面和a-面是非极性面，利用该GaN衬底(30)，制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据m-面或a-面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该GaN衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。

公开(公告)号：CN102099935A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201080001806.2

申请日：2010-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: 提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。

公开(公告)号：CN100407527C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510009454.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。

公开(公告)号：CN1993841A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000584.6

申请日：2006-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10－20J以上、4.8×10－20J以下。

公开(公告)号：CN1641900A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510004321.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 秋田胜史 ,  中村孝夫 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C01G15/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1－X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1－X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1－X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1－X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1－X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN1585144A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057832.3

申请日：2004-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 平山秀树 ,  秋田胜史 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。

公开(公告)号：CN1197998A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括:立方晶系半导体(111)衬底;在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层;和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。