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公开(公告)号：CN101789492B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010115649.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。
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公开(公告)号：CN102034929A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010520209.2
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。
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公开(公告)号：CN102005535A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010283557.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
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公开(公告)号：CN101997029A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN101789492A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010115649.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101211780A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610171664.X
申请日：2006-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明涉及半导体技术中二氧化硅薄膜生长技术领域，公开了一种生长二氧化硅薄膜的方法，包括：A.配制二氧化硅饱和溶液；B.在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；C.在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝，搅拌得到饱和生长溶液；D.将半导体衬底垂直浸入到所述饱和生长溶液中，二氧化硅在半导体衬底表面沉积，形成二氧化硅薄膜。利用本发明，二氧化硅薄膜的生长温度低，生长过程中不需要热处理，操作容易，设备简单，同时对环境影响较小，重复性好，可靠性高，成本极低，易于产业化。
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公开(公告)号：CN1941427A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105262.5
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n+/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n+/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。
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公开(公告)号：CN1941422A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105263.X
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/052
Abstract: 一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。
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公开(公告)号：CN118529693A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410435356.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/18 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法，涉及传感器技术领域，该制备方法包括：提供带有垂直引线的第一硅‑玻璃复合盖板和第二硅‑玻璃复合盖板，以及包括质量块、边框和悬臂梁的结构层；采用阳极键合工艺，将第一硅‑玻璃复合盖板、结构层和第二硅‑玻璃复合盖板从上到下依次对准叠合后进行键合；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的下端与结构层连接；在第一硅‑玻璃复合盖板的上表面形成第一金属电极和第二金属电极；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的上端与第一金属电极连接；在第二硅‑玻璃复合盖板的下表面形成第三金属电极。本发明采用阳极键合方式制备的加速度计可以实现Z轴加速度检测，并提升器件的空间利用率。
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公开(公告)号：CN117198941A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311277793.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法，包括：对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描，获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压；对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照，获取正电极面的光学显微图像；对砷化镓基太阳电池施加反向电压，对正电极面发出的光子进行探测，获取正电极面的光发射位点图像；将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加，确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。
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