公开(公告)号：CN101022141A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610003121.7

申请日：2006-02-16

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王鹏 ,  陈诺夫 ,  尹志岗

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 一种Mg－Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤2：将衬底加温至一恒温；步骤3：利用射频磁控溅射方法，在氩气环境中将靶材溅射沉积在衬底之上；步骤4：进行原位高温退火处理，得到Mg－Sb共掺杂的p型ZnO薄膜材料。

公开(公告)号：CN1941422A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200510105263.X

申请日：2005-09-28

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 白一鸣 ,  陈诺夫 ,  戴瑞烜 ,  王鹏 ,  王晓东

IPC分类号： H01L31/052

摘要： 一种具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉格反射器上；一发射区，该发射区制作在基区上；一兼做窗口层和复合减反射膜的高折射率层，该高折射率层制作在发射区上；一复合减反射膜的低折射率层，该低折射率层制作在窗口层上；该高折射率层与低折射率层7构成复合减反射膜层，极大地降低了光的减反射效果；一帽子层，该帽子层制作在减反射膜层上，为高掺杂n型砷化镓材料。

公开(公告)号：CN101089219A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200610012247.0

申请日：2006-06-14

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 戴瑞烜 ,  陈诺夫 ,  彭长涛 ,  王鹏

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

摘要： 本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；2)将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；3)抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；4)退火；5)完成薄膜的制备工艺。

公开(公告)号：CN118795601A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411261320.2

申请日：2024-09-10

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王道发 ,  李明 ,  谢毓俊 ,  王鹏

IPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/14

摘要： 本发明提供了一种基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器，涉及光电集成器件技术领域，包括：光子芯片及光纤(8)；光子芯片从下至上依次包括衬底硅(1)、埋氧层(2)、硅反射层(3)、氧化硅隔离层(4)、锆钛酸铅薄膜层(5)、波导耦合光栅(6)、氧化硅包埋层(7)；光纤（8）设置在氧化硅包埋层(7)上方；其中，波导耦合光栅(6)依次包括第一光栅、第二光栅和第三光栅，在锆钛酸铅薄膜层(5)上刻蚀形成，第一光栅、第二光栅和第三光栅均为非对称结构且光栅周期不同，以减小背反射并使光子芯片的向上衍射光场与光纤（8）的模场匹配。

公开(公告)号：CN118550031A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410994106.1

申请日：2024-07-24

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 李明 ,  王鹏 ,  谢毓俊 ,  贠亦婷 ,  林宏焘 ,  李昂 ,  杨梦涵 ,  王道发 ,  魏茂良

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43

摘要： 本发明提供了一种非易失性光收发片上集成系统，涉及半导体光电集成技术领域，用于至少部分解决目前光子芯片尺寸大且静态功耗高的技术问题。系统包括：硅基异质集成光学平台，由下至上包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层、非易失性相变材料薄膜层、保护层和二氧化硅包埋层，非易失性相变材料薄膜层处于硅薄膜层上方并内设于二氧化硅包埋层内部，保护层位于非易失性相变材料薄膜层上方并内设于二氧化硅包埋层内部；光收发阵列，被配置为基于对非易失性相变材料薄膜层的折射率进行非易失性连续调控，实现对光信号进行调制及解调。

公开(公告)号：CN118554257A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410995410.8

申请日：2024-07-24

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 李明 ,  王鹏 ,  谢毓俊 ,  邹思硕 ,  林宏焘 ,  李昂 ,  屈杨 ,  金烨 ,  魏茂良

IPC分类号： H01S5/10

摘要： 本发明提供了一种非易失性C+L波段窄线宽可调谐激光器，包括：C+L波段光源，用于产生C+L波段激光；第一模斑转换器，用于调节C+L波段激光的光斑形状，得到第一光信号；宽带可调谐滤波芯片，包括级联的两个非易失性相变材料异质集成的微环谐振器，用于基于热反馈调控实现第一光信号的波长的可调谐；第二模斑转换器，用于调节波长调谐后的第一光信号的光斑形状，得到第二光信号；光放大器，用于对第二光信号进行放大后输出激光。该激光器能够解决在宽波长范围内实现稳定集成外腔激光器的超低线宽的问题。

公开(公告)号：CN1955334A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200510086729.6

申请日：2005-10-27

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王鹏 ,  陈诺夫 ,  尹志岗 ,  杨霏

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及固定夹具技术领域，特别是一种磁控溅射仪衬底固定夹具。用于固定磁控溅射仪所用的衬底。包括：一盖片，该盖片主体为长方形，在其一边有三个方形缺口，两端各有一个通孔；一衬底托，该衬底托为圆形，内部有两个螺丝孔，其孔距与盖片上的通孔孔距一致；衬底置于盖片的缺口之下，并通过螺丝将其固定在盖片与衬底托之间。