公开(公告)号：CN1274876C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03147652.X

申请日：2003-07-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 尹志岗 ,  杨霏 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  柴春林

IPC: C23C14/35 ,  B22F3/16

Abstract: 一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺的内径相同，该靶托容置在套筒的凹缺内。

公开(公告)号：CN1570198A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN03147652.X

申请日：2003-07-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 尹志岗 ,  杨霏 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  柴春林

IPC: C23C14/35 ,  B22F3/16

Abstract: 一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺的内径相同，该靶托容置在套筒的凹缺内。

公开(公告)号：CN100369200C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510079720.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘力锋 ,  陈诺夫 ,  尹志岗 ,  杨霏 ,  柴春林

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰-硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。

公开(公告)号：CN101017864A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003071.2

申请日：2006-02-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  杨霏 ,  李成明 ,  范海波 ,  陈涌海 ,  刘志凯 ,  王占国

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L29/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。

公开(公告)号：CN1865491A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200510011741.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭长涛 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  尹志冈 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1－x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10－3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。

公开(公告)号：CN1955334A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200510086729.6

申请日：2005-10-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王鹏 ,  陈诺夫 ,  尹志岗 ,  杨霏

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及固定夹具技术领域，特别是一种磁控溅射仪衬底固定夹具。用于固定磁控溅射仪所用的衬底。包括：一盖片，该盖片主体为长方形，在其一边有三个方形缺口，两端各有一个通孔；一衬底托，该衬底托为圆形，内部有两个螺丝孔，其孔距与盖片上的通孔孔距一致；衬底置于盖片的缺口之下，并通过螺丝将其固定在盖片与衬底托之间。

公开(公告)号：CN1885493A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200510079720.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘力锋 ,  陈诺夫 ,  尹志岗 ,  杨霏 ,  柴春林

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。

公开(公告)号：CN1824828A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510052401.2

申请日：2005-02-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨霏 ,  陈诺夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤2：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤3：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及气体压力；步骤4：加温，溅射生长氮化铝材料；步骤5：原位保温或者退火，完成制备氮化铝材料工艺。

公开(公告)号：CN1719581A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410062336.7

申请日：2004-07-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨霏

IPC: H01L21/20

Abstract: 一种在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用硅衬底，该硅衬底作为生长氮化镓材料的基底层；2)在硅衬底上制备碳化硅外延薄膜层，以利于氮化镓的生长；3)在碳化硅外延薄膜层上面生长氮化镓材料，完成在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的制备。本发明与现有技术相比的最大优点是：成本大为降低，便于器件制作。

公开(公告)号：CN1594648A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03158500.0

申请日：2003-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨霏 ,  尹志岗 ,  柴春林 ,  吴金良

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。