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公开(公告)号：CN1880211A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610023320.4
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用，属微机械传感器技术领域；其特征在于采用与悬臂梁高阶谐振模态的振动函数曲线相匹配的优化布置电磁激励线圈，产生与该模态悬臂梁相应位置运动方向相同的洛伦兹力驱动悬臂梁振动，更好地激励悬臂梁的高阶谐振模态，提高悬臂梁的品质因数和质量分辨率；同时用溅射制作与驱动铝线圈布局一致，但有足够的宽度和厚度的铬薄膜，确保完全覆盖在铝线圈的表面和侧壁，形成良好的保护，避免了传统介质钝化层淀积后形成的应力引起的悬臂梁谐振频率的变化，同时实现了驱动线圈的有效可靠保护；本发明特点是结构简单、制作方便、容易实现。
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公开(公告)号：CN1866007A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610026523.9
申请日：2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
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公开(公告)号：CN1743261A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN1699960A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510026156.8
申请日：2005-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种经改进的微悬臂梁弹性系数的测试方法，具体步骤是(1)首先将已知弹性系数ko的带有探针的悬臂梁安装在原子力显微镜夹具中，将已知悬臂梁与一个硬基底接触获得其总形变量δtot；(2)将未知悬臂梁或者微结构放置在测试基座上，将已知悬臂梁与未知悬臂梁的上表面相互接触，获得在未知悬臂梁上的形变量δt1；(3)再将未知悬臂梁微结构翻转180度，进行与步骤(2)相同的测试获得形变量δt2；(4)再采用δtest＝(δt1+δt2)/2计算出平均形变量；(5)再利用公式K=Ko[δtestcos(θ)/δtot－δtest]进行计算，得到弹性系数；式中，θ为两个悬臂梁之间的夹角，0.3ko＜k＜3ko。本方法可扩展测试其他微结构单元或器件的弹性系数或其他力学量。
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公开(公告)号：CN1142438C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN02111212.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘，还采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。这种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测从而实现较高灵敏度。同时还克服了(1)采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造；(2)为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能二个缺点。具有制造工艺简单、构思巧妙并适合批量生产各种量程的加速度传感器，同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113125552B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010027371.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N5/00
Abstract: 本发明公开了一种测定固液界面上动力学及热力学参数的方法，根据多种不同待测浓度配体溶液各自对应的频率‑时间曲线图和两种不同温度下另一待测浓度的配体溶液的频率‑时间曲线图，通过分析微悬臂梁传感器输出频率‑时间曲线并计算，得到固液界面上核酸适配体与其配体的动力学及热力学参数(结合/解离平衡常数KA/KD，吉布斯自由能△G°，表面覆盖度θ，结合/解离速率常数ka/kd，反应活化能Ea)。本方法克服了传统方法仪器昂贵，操作繁琐，参数测定单一等缺点，具有灵敏度高，成本低，操作简单快捷，无需标记与校正，可有效避免系统误差，一次性测定相关参数等优势，适用于多种核酸适配体与其配体的动力学与热力学参数的测定。
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公开(公告)号：CN108178122B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201611123850.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN118191362A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211611735.9
申请日：2022-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种电容式微机械加速度计，电容式微机械加速度计的弹性支承结构包括2对具有特定几何形状的呈对称设置的非线性弯梁，该具有非线性弯梁的4弹性弯梁支承结构，能够在器件小尺寸条件下，降低微机械加速度计的弹性支承结构的刚度系数，从而可有效的提高电容式微机械加速度计的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109959746B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201711403787.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提出了一种硅基微气相色谱柱及其制备方法，在硅微色谱柱的微沟道的内表面上设计并制备出一层细密的硅纳米线森林，纳米线线径一般分布在几纳米至几十纳米之间。这种细密的硅纳米线森林极大地增大了硅微色谱柱的表面积，从而有效地提高了硅微色谱柱的柱容量、分离度和柱效。
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