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公开(公告)号：CN101565162A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052443.4
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1－2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构。当阶梯形电极与纳米梁间的电压超过MIS电容的阈值电压时，MIS电容下的空间电荷区达到最大值，空间电荷区下的电阻仅为应力的函数，可以用于纳米梁的压阻检测。阶梯形电极的中心部分由于间隙大，对纳米梁的电阻值影响小，中心部分对纳米梁的驱动效率高，用于对纳米梁实现静电驱动。
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公开(公告)号：CN100526208C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN100482572C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN1278923C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410066491.6
申请日：2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点:(1)制作工艺简单：仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺，对工艺设备要求较低、简便易行，降低了产品成本，提高了成品率；(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面，与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整，光反射率高；(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层，与重掺杂自停止方法相比，对梁厚度的控制更为精确。
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公开(公告)号：CN119995553A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411961117.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法，该MEMS谐振器由两个Lamé模态矩形谐振子和多根纵向振动细长梁强耦合而成，其中Lamé模态矩形谐振子由2n+1(n为正整数)个正方形Lamé模态谐振子组合。纵向振动细长梁与Lamé模态矩形谐振子的连接点在单个Lamé模态正方形谐振子的中心处，且纵向振动细长梁对称分布，使得整个谐振结构为中心对称结构。谐振结构的锚点可以设置在单个Lamé模态正方形谐振子的中心位置，也可以设置在Lamé模态矩形谐振子的四角，还可设置在纵向振动细长梁的中心节点位置。本发明通过强耦合设计将多个Lamé模态正方形谐振子组合而成的矩形谐振子增大了电极面积，可以显著降低谐振器的等效阻抗，有利于后端接口电路的设计。
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公开(公告)号：CN119660663A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411689990.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应力偏转电极及其制备工艺，所述应力偏转电极制作在衬底上，所述衬底包括依次设置的硅片、绝缘层和结构层；所述应力偏转电极包括电极、支撑电极的预应力梯度梁、底部锚点、锚点和金属电极；所述预应力梯度梁为双层结构，包括预应力膜和导电膜；所述预应力梯度梁通过底部锚点与硅片相连；所述电极通过连接点与导电膜连接，并通过导电膜与金属电极实现电学连接；在结构释放前，所述预应力梯度梁垂直于硅片表面；在结构释放后，所述预应力梯度梁发生偏转并停靠在硅片的停靠点上，通过锚点实现对应力偏转电极尾部的固定。本发明的应力偏转电极实现亚微米到纳米量级的电容间隙，可突破现有工艺的深宽比极限，还可实现多个电极紧密排列。
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公开(公告)号：CN115919270B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN111938610A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010662146.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明涉及一种气囊一体化的脉诊仪触觉传感阵列结构，包括气囊、PCB线路软板，所述气囊与导气管连通，所述气囊的人体接触面上开设有测试区域，所述测试区域内嵌入有与所述PCB线路软板相连的传感器阵列；所述传感器阵列包括多个传感器，所述传感器的敏感面与所述气囊的人体接触面近似在一个平面。本发明能够提高测量的精确度。
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公开(公告)号：CN106549649B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510591179.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种N型重掺杂恒温控制振荡器及其恒温控制方法，包括：谐振结构、锚点、加热梁及温度传感器；谐振结构包括N型重掺杂纵向振动梁及第一电极；N型重掺杂纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；锚点位于谐振结构的两侧；加热梁贯穿N型重掺杂纵向振动梁；温度传感器位于锚点表面。本发明中沿 晶向族的N型重掺杂结构的频率温度系数存在过零点，频率温度系数过零点的温度由掺杂浓度决定；通过调整N型掺杂浓度，可以使 晶向族谐振频率温度系数过零点略高于振荡器工作温区的上限；设置贯穿谐振结构的加热梁，在加热梁上通电流即可实现恒温控制，使得N型重掺杂恒温控制振荡器具有较好的性能稳定性及较好温度特性。
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公开(公告)号：CN106788316B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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