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公开(公告)号:CN1278923C
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200410066491.6
申请日:2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中,探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀,而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀,当探针针尖的直径达到预定值时,梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点:(1)制作工艺简单:仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺,对工艺设备要求较低、简便易行,降低了产品成本,提高了成品率;(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面,与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整,光反射率高;(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层,与重掺杂自停止方法相比,对梁厚度的控制更为精确。
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公开(公告)号:CN1587024A
公开(公告)日:2005-03-02
申请号:CN200410066491.6
申请日:2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中,探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀,而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀,当探针针尖的直径达到预定值时,梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点。(1)制作工艺简单:仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺,对工艺设备要求较低、简便易行,降低了产品成本,提高了成品率;(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面,与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整,光反射率高;(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层,与重掺杂自停止方法相比,对梁厚度的控制更为精确。
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