-
公开(公告)号：CN105866983A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610216678.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015 , H01L31/115 , B82Y30/00
CPC classification number: G02F1/015 , B82Y30/00 , G02F2001/0154 , H01L31/115
Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
-
公开(公告)号：CN102798611B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110139404.5
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法，包括步骤：1）在预先给定频率范围的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找折射率已知并且折射率实部大于待测介质的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率范围的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）调节上述入射电磁波的功率，使之产生很小的脉冲，同时测量倏逝波的辐照度对该脉冲的响应时间；根据该脉冲响应时间来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
-
公开(公告)号：CN102928623A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210418322.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器，包括上电极盖板、下电极盖板和质量块，所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端，所述质量块的上表面具有上电容间隙，下表面具有下电容间隙；所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面均设有用于实现上电极焊盘、中间电极焊盘和下电极焊盘之间绝缘的隔离槽。本发明易于制作，工作性能稳定，用途广泛。
-
公开(公告)号：CN101177702B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710047349.0
申请日：2007-10-23
Applicant: 安徽医科大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及线粒体病MELAS和MERRF综合征相关mtDNA突变位点的检测，公开了一种人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点检测基因芯片，其中，在基因芯片载体表面点阵固定有可检测人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点的特异性寡核苷酸探针。本发明还进一步公开了上述基因芯片的制备及使用方法。本发明的基因芯片可用于检测所有与人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点，且灵敏度高、特异性强和可重复性好；与传统分子生物学方法相比，检测时间大大缩短，达到MELAS和MERRF综合征临床诊断与鉴别诊断的目的。
-
公开(公告)号：CN101177702A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710047349.0
申请日：2007-10-23
Applicant: 安徽医科大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及线粒体病MELAS和MERRF综合征相关mtDNA突变位点的检测，公开了一种人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点检测基因芯片，其中，在基因芯片载体表面点阵固定有可检测人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点的特异性寡核苷酸探针。本发明还进一步公开了上述基因芯片的制备及使用方法。本发明的基因芯片可用于检测所有与人类线粒体病MELAS和MERRF综合征相关的mtDNA突变位点，且灵敏度高、特异性强和可重复性好；与传统分子生物学方法相比，检测时间大大缩短，达到MELAS和MERRF综合征临床诊断与鉴别诊断的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013162A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710036986.8
申请日：2007-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G02B1/007
Abstract: 本发明提供了一种利用负折射率材料提高光在电磁波各波段时间相干性的方法，其特征在于利用一平板负折射材料成像，像点某一时刻的场是由源处不同时刻的场，经不同路径传播到像点并叠加的结果，获得相干性的提高。传播路径越长，所需传播时间即群延迟时间越长。本发明提出可通过负折射率超透镜提高源的相干性，并且这种相干性的提高完全不同于以往通过高Q腔提高相干性的机理，它没有频率的过滤。本发明提出的提高光在各波段的相干性方法与数值模拟进行对比，结果吻合的较好。显然，本发明在光的相干研究和信息处理方面具有重要的物理意义和应用价值。
-
公开(公告)号：CN114865760B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210603564.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于非闭合式磁芯的感应取电电源，包括磁能采集模块和电能管理电路模块，磁能采集模块包括非闭合式磁芯线圈组件和谐振电容，电能管理电路模块包括依次连接的过流过压保护电路、电荷泵倍压电路、稳压电路、超级电容充电电路、超级电容和超级电容放电电路，充电电路与稳压电路连接，放电电路通过其开关管与电荷泵倍压电路连接；稳压电路和放电电路分别通过放电二极管与负载连接。本发明的取电电源采用基于非闭合式磁芯的磁能采集模块，可适用于不同电压等级、不同尺寸的电缆，易安装和拆卸，并且通过电荷泵电路和超级电容储能来降低供电死区，减少电能管理电路的设计难度，可以在载流量宽范围波动的情况下为负载稳定供电。
-
公开(公告)号：CN108227075B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
-
公开(公告)号：CN118137461A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410146176.1
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02J3/00
Abstract: 本发明涉及一种启动控制装置，包括：电源模块，用来为负载提供第一启动电能；辅助模块，用来检测所述电源模块的供电状态，当电源模块正常供电时利用所述第一启动电能进行储能，当检测到所述电源模块停止供电时，在第一预设时间后释放储存的电能从而为所述负载提供第二启动电能。本发明能够使装置负载持续保持启动的状态，并提高启动安全性。
-
公开(公告)号：CN115951431A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211606843.7
申请日：2022-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于波长相关的3D光开关的微纳结构，包括：衬底；两条硅纳米柱子链，平行设置在所述衬底上；每条硅纳米柱子链包括高度相同的普通柱和缺陷柱，所述普通柱和缺陷柱排成一列，所述缺陷柱设置在所述硅纳米柱子链末端的第一根和第三根的位置；所述缺陷柱的半径大于所述普通柱的半径。本发明能够在不同的输入光相位下进行3D光链路的开关调制，并在不同波长下表现出相反的开关特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
108
records
(took 0.084 seconds)
