-
公开(公告)号：CN104678491B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201310625054.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用。其中，所述支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体具有由至少两种材料形成的周期性折射率分布；且光子晶体色散空间内的某个能带内存在平直的等频线或平坦等频面、且在平直等频线或平坦等频面所在频率附近等频线或等频面曲率随频率的变化率至少比真空中提高50倍。由于本发明的光子晶体在自准直点附近等频线或等频面曲率随频率剧烈变化，使得光束衍射强度很容易受到频率改变和材料折射率变化的影响，可以用于调控光束衍射强度、探测折射率等。
-
公开(公告)号：CN104678491A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310625054.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
CPC classification number: G02B1/005 , G02B6/1225 , G02F1/3511 , G02F2202/30 , G02B27/0012
Abstract: 本发明提供一种支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用。其中，所述支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体具有由至少两种材料形成的周期性折射率分布；且光子晶体色散空间内的某个能带内存在平直的等频线或平坦等频面、且在平直等频线或平坦等频面所在频率附近等频线或等频面曲率随频率的变化率至少比真空中提高50倍。由于本发明的光子晶体在自准直点附近等频线或等频面曲率随频率剧烈变化，使得光束衍射强度很容易受到频率改变和材料折射率变化的影响，可以用于调控光束衍射强度、探测折射率等。
-
公开(公告)号：CN102569968B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210009080.8
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电磁波束控制的方法，包括以下步骤：根据所需控制电磁波的工作频率，确定磁场的大小以及相应的旋磁媒质；根据电磁波要分束的数目和/或偏转方向确定磁畴的几何特征；根据所述磁畴的几何特征，通过磁场控制，在旋磁媒质中构造出磁畴，并控制电磁波模式的单向性传播方向。本发明还涉及一种电磁波束控制的方法制作的波束偏转器、波束分束器和分束器-偏转器转化开关。本发明对电磁波束的控制具有低损耗、抗无序、宽频、高效的特点，能广泛应用于全光控制芯片、光互联等领域。
-
公开(公告)号：CN102544660A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210009079.5
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于各向异性磁回旋媒质的可调控单向波导控制方法，包括以下步骤：将两块磁导率为张量的各向异性磁回旋媒质材料表面相接触，以形成磁畴壁，并确定好准备作为传输波导的磁畴壁的平面；对两块磁回旋媒质外加磁场，磁场方向为平行于磁畴壁且垂直于磁回旋媒质平面，且两块旋磁媒质外加磁场方向相反；根据外加磁场的大小，计算给出入射信号的单向模式频率范围；根据外加磁场方向，确定给出入射信号的单向模式的方向。本发明可以使电磁波从垂直去磁场方向从接触面的一端入射到另外一端，而相对入射的电磁波得到抑制，且在不需要辅助波导的情况下，使电磁波局域在接触面上，实现电磁波低损耗，宽频高效的传输。
-
公开(公告)号：CN102798764A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110139419.1
申请日：2011-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法，其包括步骤：1）在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）在待测介质中选择一个测量点，测量倏逝波相位的变化；并根据倏逝波相位的变化来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102769208A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110113459.9
申请日：2011-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种梯度折射率介质透镜及梯度折射率介质透镜天线。其中，呈半圆柱形的梯度折射率介质透镜的折射率分布满足：，呈半球形的梯度折射率介质透镜的折射率分布满足：。半圆柱形/半球形梯度折射率介质透镜的折射率都是根据变换光学的原理，采用共形变换计算得到，折射率大于1，并且分布规律，实现方便，工作频带宽，既可单独用于成像，也可增加反射面用于通信、雷达等领域，或配合其它器件构成天线系统。本发明的梯度折射率介质透镜天线以所述半圆柱形/半球形梯度折射率介质透镜为主体，因而具有良好的方向性。
-
公开(公告)号：CN102569968A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210009080.8
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电磁波束控制的方法，包括以下步骤：根据所需控制电磁波的工作频率，确定磁场的大小以及相应的旋磁媒质；根据电磁波要分束的数目和/或偏转方向确定磁畴的几何特征；根据所述磁畴的几何特征，通过磁场控制，在旋磁媒质中构造出磁畴，并控制电磁波模式的单向性传播方向。本发明还涉及一种电磁波束控制的方法制作的波束偏转器、波束分束器和分束器-偏转器转化开关。本发明对电磁波束的控制具有低损耗、抗无序、宽频、高效的特点，能广泛应用于全光控制芯片、光互联等领域。
-
公开(公告)号：CN101345588B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810042075.0
申请日：2008-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B10/18
Abstract: 本发明涉及一种利用光子晶体实现无时间-空间展宽的光子弹传播的方法，包括下列步骤：(1)确定孔径大小：根据光子晶体的色散关系等频图和群速度色散关系图，能使等频图上的自准直区域与群速度色散图上零群速度色散区域重合的孔径为所需孔径；(2)打孔：采用单晶硅材料，利用电子束曝光和ICP刻蚀技术，在单晶硅片上打孔，形成正方晶格或正三角晶格并呈周期排列的空气圆孔阵列，其孔径为步骤(1)所确定的孔径。本发明提供了一种简便，节能，和全新的手段实现光子弹传播的手段，为光信号传输和处理提供了一种基础介质材料，在光集成，光传输，和光芯片及信号处理领域将有广泛应用。
-
公开(公告)号：CN101267089B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710037989.3
申请日：2007-03-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供一种垂直腔面发射光子晶体表面波激光器及其设计方法，所述的设计方法，包括如下步骤：步骤1、选定发光材料，确定材料折射率，选择光子晶体结构类型，确定结构参数；步骤2、利用超原胞技术和平面波展开法计算该结构的色散关系，得到表面模式，计算得到对应该表面模式的晶格周期；步骤3、设计表面波微腔腔体，该腔体的表面层具有周期性的波状起伏。本发明适当改变光子晶体表面层结构，使表面层或表面层的近邻层具有周期性的波状起伏，从而改变表面波激光器的发射方向，由原来的端发射转变为垂直腔面发射，而且出射光的等相位面非常平坦。本发明的设计思路简单，集成性好，适用范围广，可根据不同材料的发光特性设计不同波段的表面波激光器，特别是用半导体材料设计光通讯波段的光源器件具有更重要的实用价值。
-
公开(公告)号：CN101345588A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042075.0
申请日：2008-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B10/18
Abstract: 本发明涉及一种利用光子晶体实现无时间－空间展宽的光子弹传播的方法，包括下列步骤：(1)确定孔径大小：根据光子晶体的色散关系等频图和群速度色散关系图，能使等频图上的自准直区域与群速度色散图上零群速度色散区域重合的孔径为所需孔径；(2)打孔：采用单晶硅材料，利用电子束曝光和ICP刻蚀技术，在单晶硅片上打孔，形成正方晶格或正三角晶格并呈周期排列的空气圆孔阵列，其孔径为步骤(1)所确定的孔径。本发明提供了一种简便，节能，和全新的手段实现光子弹传播的手段，为光信号传输和处理提供了一种基础介质材料，在光集成，光传输，和光芯片及信号处理领域将有广泛应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.067 seconds)
