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公开(公告)号：CN110137341A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810107653.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种单晶压电薄膜异质衬底的制备方法，包括如下步骤：1）提供一单晶压电衬底，单晶压电衬底的一表面为注入面；2）于注入面进行离子注入，于单晶压电衬底的预设深度处形成缺陷层；3）提供一支撑衬底；4）将单晶压电衬底经由介质埋层与支撑衬底键合；5）自单晶压电衬底远离支撑衬底的表面对单晶压电衬底进行减薄处理；6）沿缺陷层剥离部分单晶压电衬底，以得到包括依次叠置的支撑衬底、介质埋层及单晶压电薄膜的单晶压电薄膜异质衬底。本发明在沿缺陷层剥离形成单晶压电薄膜异质衬底之前先将单晶压电衬底减薄，再沿缺陷层剥离，可以降低单晶压电衬底与支撑衬底之间的热失配问题，避免了剥离过程中由于热失配引起的裂片问题的产生。
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公开(公告)号：CN109904065A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910129433.X
申请日：2019-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理，以沿缺陷层剥离部分第一衬底，以在第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括第二衬底及衬底薄膜的异质结构。本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。
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公开(公告)号：CN109686656A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811347792.4
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种硅基异质集成碳化硅薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供具有注入面的碳化硅单晶晶片；从注入面向碳化硅单晶晶片进行氢离子注入形成注入缺陷层，该注入缺陷层的上方形成碳化硅单晶薄膜；将注入面与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片和硅支撑衬底的第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构沿着注入缺陷层剥离，得到第二复合结构，其中，注入缺陷层形成损伤层，第二复合结构包括损伤层、碳化硅单晶薄膜和硅支撑衬底；对第二复合结构进行表面处理以除去损伤层，得到包括碳化硅单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成碳化硅薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
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公开(公告)号：CN109427538A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710735726.3
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底-薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。
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公开(公告)号：CN109166792A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810942371.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/34 , H01L21/425 , H01L21/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104986722B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510275200.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。
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公开(公告)号：CN105895801A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610527906.8
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/165
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法，包括以下步骤：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，以得到氧化物单晶薄膜，并使得到的氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明有效地降低了剥离及转移薄膜所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；同时，使用该方法还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。
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公开(公告)号：CN101477963A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810204676.7
申请日：2008-12-16
Applicant: 上海新傲科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；在单晶硅衬底中注入氧离子；对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之后实施。注入深度与缺陷引入离子的注入深度相同或靠近。本发明的优点在于，缺陷引入离子注入形成的微空洞可以俘获氧离子，提高绝缘埋层的完整性，从而降低形成连续埋层所需氧的注入剂量。降低由于二氧化硅形成过程中的体积膨胀所形成的应力和顶层硅中的缺陷。提高了氧从退火气氛向埋层的扩散效率，提高顶层硅与埋层之间的界面质量，提高埋层的抗击穿性能。
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公开(公告)号：CN101005110A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710036455.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。
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公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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