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公开(公告)号：CN104986722B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510275200.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104986722A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510275200.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。
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公开(公告)号：CN104986728B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510274630.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。
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公开(公告)号：CN105068166A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510275299.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
IPC: G02B5/18
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN105068166B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510275299.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
IPC: G02B5/18
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。
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公开(公告)号：CN104986728A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274630.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。
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