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公开(公告)号：CN105586638A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610129276.9
申请日：2016-03-08
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法，将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块，选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶，将籽晶装入坩埚底部的种井部位，然后将原料块装入坩埚，使原料块处于炉膛内高温区，炉温控制在1360~1390℃，保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm，保温3~7小时使多晶粉料充分熔融，坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h；待原料全部结晶后，使坩埚处于炉膛恒温区，在1000~1200℃下保温，然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温，取出晶体，即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶。本发明实现了高质量铌酸钾铅单晶的生长，降低了单晶制备难度，极大提高了铌酸钾铅压电单晶的成品率。
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公开(公告)号：CN104911706A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510328712.0
申请日：2015-06-15
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C23C18/1258
Abstract: 本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370-390oC，ZnO薄膜的厚度为150-250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。
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公开(公告)号：CN104192854A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410317866.5
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B33/20
Abstract: 本发明一种制备硅酸铋粉体的方法，包括下列步骤：称取铋盐、硅酸钠、还原剂，所述的铋盐、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~12：1~2：10~30；将硅酸钠溶解在去离子水中获得硅酸钠溶液，所述的硅酸钠溶液的浓度在0.5~2mol/L之间；将还原剂完全溶解在去离子水中，得到还原剂溶液；将铋盐完全溶解在去离子水或硝酸溶液中，再将硅酸钠溶液和还原剂溶液倒入，随后用磁力搅拌器加热至80~100℃，持续搅拌后，将溶液移入预先加热到600~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
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公开(公告)号：CN104140108A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410318067.X
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B33/24
Abstract: 一种制备硅酸钙镁粉体的方法，属于无机非金属超细粉末制备领域。先称取硝酸钙、硝酸镁、硅酸钠、还原剂，所述的硝酸钙、硝酸镁、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~2：1~2：1~2：6~30；先将硝酸钙、硝酸镁和还原剂完全溶解在去离子水中，再将硅酸钠溶解于水中制成硅酸钠水溶液，将硅酸钠水溶液倒入硝酸钙、硝酸镁和还原剂形成的水溶液中，随后用磁力搅拌器加热至90~100℃，持续搅拌0.3~1小时后，将溶液直接移入预先加热到650~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，发生剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
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公开(公告)号：CN102528060B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210048715.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开了一种防止喷嘴和导流管堵塞的雾化器，由导流管、金属外套、喷嘴、发热体A、陶瓷密封环、金属密封环、垫圈等组成，导流管与金属外套之间留有的间隙安装发热体A、喷嘴的两个Laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B。金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的白色反射涂层，金属外套与导流管两者的下端部平齐，两者之间留有的间隙的端部用陶瓷密封环密封。喷嘴的两个laval结构的出气管的间隙的端部都采用金属密封环螺纹连接密封。本发明的一种防止喷嘴和导流管堵塞的雾化器具有可有效防止金属和合金堵塞、解决堵塞的功能。适用于金属或合金雾化的熔体导流，且具有结构简单、安装方便、可提高生产效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102528061B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210048944.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器，由导流管、喷嘴、金属外套、陶瓷圆环、金属密封环、金属圆环、发热体A及垫圈等组成，导流管与金属外套之间留有的间隙安装发热体A,喷嘴的两个laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B。金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的白色反射涂层，金属外套与导流管两者的下端部平齐，且与陶瓷圆环采用螺纹连接。喷嘴的两个laval结构的出气管的出气口处的端部都安装金属圆环，出气管的间隙的端部都采用金属密封环螺纹连接密封。本发明的一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器，可有效解决高熔点物质堵塞问题，且具有结构简单、安装方便、节省材料等优点。
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公开(公告)号：CN102011187B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102586880A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080824.5
申请日：2012-03-26
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe晶体。所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有 和 取向。与传统制备方法相比，该方法可通过溅射后退火温度控制、衬底控制实现纳米晶ZnTe晶体取向生长。
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公开(公告)号：CN102528061A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210048944.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器，由导流管、喷嘴、金属外套、陶瓷圆环、金属密封环、金属圆环、发热体A及垫圈等组成，导流管与金属外套之间留有的间隙安装发热体A,喷嘴的两个laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B。金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的白色反射涂层，金属外套与导流管两者的下端部平齐，且与陶瓷圆环采用螺纹连接。喷嘴的两个laval结构的出气管的出气口处的端部都安装金属圆环，出气管的间隙的端部都采用金属密封环螺纹连接密封。本发明的一种解决喷嘴和导流管高熔点物质堵塞的雾化器，可有效解决高熔点物质堵塞问题，且具有结构简单、安装方便、节省材料等优点。
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公开(公告)号：CN102528060A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210048715.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开了一种防止喷嘴和导流管堵塞的雾化器，由导流管、金属外套、喷嘴、发热体A、陶瓷密封环、金属密封环、垫圈等组成，导流管与金属外套之间留有的间隙安装发热体A、喷嘴的两个Laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B。金属外套内表面设有金属反射膜或喷涂而成的白色反射涂层，金属外套与导流管两者的下端部平齐，两者之间留有的间隙的端部用陶瓷密封环密封。喷嘴的两个laval结构的出气管的间隙的端部都采用金属密封环螺纹连接密封。本发明的一种防止喷嘴和导流管堵塞的雾化器具有可有效防止金属和合金堵塞、解决堵塞的功能。适用于金属或合金雾化的熔体导流，且具有结构简单、安装方便、可提高生产效率等优点。
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