公开(公告)号：CN101698608A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910197786.X

申请日：2009-10-28

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 王占勇 ,  金鸣林 ,  钟柳明 ,  钱蕙春 ,  吕洁丽 ,  蒋涵涵 ,  郑玉丽 ,  房永征 ,  徐家跃

IPC: C04B35/626 ,  C04B35/26 ,  H01F1/34 ,  H01F1/36

Abstract: 本发明公开了一种纳米晶M型铁氧体粉末的合成方法。以分析纯金属离子Fe2+、Ba2+、pb2+或Sr等的硝酸盐或碳酸盐为原料，按一定的比例配置成一定pH值为5～7.5的均一溶液，溶液在75～100℃下进行反应，形成络合物的溶液，然后经过干燥，形成含一定水分的前躯体，在频率为300～3000MHz的微波炉中将前驱体以20～80℃/min的升温速度升温至800～1000℃进行煅烧处理，处理时间40～120min，可得到粒径约为30～100nm的单一的纳米晶M型铁氧体粉末。与传统方法相比，该方法大幅度缩短了煅烧时间，制成的样品晶粒细小均一，且磁性能在一定程度上得到了优化。

公开(公告)号：CN102586880A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210080824.5

申请日：2012-03-26

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 王占勇 ,  钟柳明 ,  金敏 ,  徐家跃 ,  申慧 ,  房永征

IPC: C30B29/48 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe晶体。所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有 和 取向。与传统制备方法相比，该方法可通过溅射后退火温度控制、衬底控制实现纳米晶ZnTe晶体取向生长。

公开(公告)号：CN101712556B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910197783.6

申请日：2009-10-28

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 王占勇 ,  金鸣林 ,  蒋涵涵 ,  钟柳明 ,  刘慧敏 ,  钱蕙春 ,  郑玉丽 ,  房永征 ,  徐家跃

IPC: H01F1/11 ,  C04B35/622 ,  C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法。以铁氧体阳离子的氧化物或碳酸盐以及其他的添加剂CaO、Al2O3等中的一种或几种为原料，经过球磨混料、烘干后，采用频率为300～3000MHz的微波物理场加热，以20～80℃/min的加热升温速度升温到1150～1350℃，然后保温30～180min，可得到粒径约为0.2～2μm的单相铁氧体预烧料。与传统预烧料合成方法相比，该方法预烧时间短、能耗低，预烧料晶粒细小均一，成型性好，磁性能稳定，可用于湿压成型、干压成型制备烧结体。

公开(公告)号：CN101712556A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910197783.6

申请日：2009-10-28

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 王占勇 ,  金鸣林 ,  蒋涵涵 ,  钟柳明 ,  刘慧敏 ,  钱蕙春 ,  郑玉丽 ,  房永征 ,  徐家跃

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/26 ,  H01F1/11

Abstract: 本发明公开了一种硬磁铁氧体预烧料的合成方法。以铁氧体阳离子的氧化物或碳酸盐以及其他的添加剂CaO、Al2O3等中的一种或几种为原料，经过球磨混料、烘干后，采用频率为300～3000MHz的微波物理场加热，以20～80℃/min的加热升温速度升温到1150～1350℃，然后保温30～180min，可得到粒径约为0.2～2μm的单相铁氧体预烧料。与传统预烧料合成方法相比，该方法预烧时间短、能耗低，预烧料晶粒细小均一，成型性好，磁性能稳定，可用于湿压成型、干压成型制备烧结体。