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公开(公告)号：CN102807368B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210318923.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，即在常压、氢气气氛中将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。本发明的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，由于采用了流动氢气氛辅助的多步烧结致密化控制技术，因此无需高压、高温、真空等复杂烧结设备，即在普通的氢气炉中即可实现半透明纳米陶瓷的制备，且制备的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷具有尺寸大、不易开裂等优点。
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公开(公告)号：CN101550586B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910048393.2
申请日：2009-03-27
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，即将合成好的高纯富碲多晶ZnTe原料，装入底部事先安置好ZnTe籽晶的PBN坩埚内，然后密封于石英坩埚内，置于三温区下降炉内进行生长晶体，炉温控制在1000～1250℃，生长速率0.5～1/h。下降炉内设有多个等效的坩埚位置，可同时生长多根晶体。晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火，即获得ZnTe单晶。本发明的ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，且原位退火可降低热应力引起的晶体缺陷，同时由于炉内多个等效工位，可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产。
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公开(公告)号：CN101550586A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910048393.2
申请日：2009-03-27
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，即将合成好的高纯富碲多晶ZnTe原料，装入底部事先安置好ZnTe籽晶的PBN坩埚内，然后密封于石英坩埚内，置于三温区下降炉内进行生长晶体，炉温控制在1000～1250℃，生长速率0.5～1/h。下降炉内设有多个等效的坩埚位置，可同时生长多根晶体。晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火，即获得ZnTe单晶。本发明的ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，且原位退火可降低热应力引起的晶体缺陷，同时由于炉内多个等效工位，可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产。
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公开(公告)号：CN102807368A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210318923.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，即在常压、氢气气氛中将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。本发明的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，由于采用了流动氢气氛辅助的多步烧结致密化控制技术，因此无需高压、高温、真空等复杂烧结设备，即在普通的氢气炉中即可实现半透明纳米陶瓷的制备，且制备的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷具有尺寸大、不易开裂等优点。
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公开(公告)号：CN102363897A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110346402.3
申请日：2011-11-07
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法，属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状，直径大小为50-150mm，高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程中，与PBN坩埚直径相同的GaAs籽晶安装于坩埚底部，熔体在籽晶的基础上不断析晶生长，省去了传统PBN坩埚生长GaAs晶体必需的放肩过程，因而在晶体生长过程中消除了由于放肩引起的热应力及GaAs小面的快速发育，大大降低了GaAs晶体中出现多晶或孪晶的几率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102002754A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
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公开(公告)号：CN101545133A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910048392.8
申请日：2009-03-27
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体(R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法，属于单晶生长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂混合均匀后，放入铂金坩埚内气密后，将坩埚置于下降炉内，升温熔化原料，通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固液界面温度梯度和生长速度等参数，实现不同化学组成的该系列稀土磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度，同时坩埚底部通气或通水造成局部过冷并快速成核，从而生长出大尺寸的RFeO3单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体的批量生产等。
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公开(公告)号：CN104192854B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410317866.5
申请日：2014-07-07
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B33/20
Abstract: 本发明一种制备硅酸铋粉体的方法，包括下列步骤：称取铋盐、硅酸钠、还原剂，所述的铋盐、硅酸钠、还原剂的摩尔比为1~12：1~2：10~30；将硅酸钠溶解在去离子水中获得硅酸钠溶液，所述的硅酸钠溶液的浓度在0.5~2mol/L之间；将还原剂完全溶解在去离子水中，得到还原剂溶液；将铋盐完全溶解在去离子水或硝酸溶液中，再将硅酸钠溶液和还原剂溶液倒入，随后用磁力搅拌器加热至80~100℃，持续搅拌后，将溶液移入预先加热到600~800℃的高温烧结炉中，随着水分的蒸发，剧烈燃烧，获得蓬松泡沫状产物。本发明采用成本相对价廉的硅酸钠为原料，有利于实际应用；制得的粉体分散良好，颗粒细小；设备、工艺简单。
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公开(公告)号：CN102677175A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210167241.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，且位错密度较低。
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公开(公告)号：CN102011187A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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