公开(公告)号：CN101550586B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910048393.2

申请日：2009-03-27

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 徐家跃 ,  金敏 ,  赵洪阳 ,  胡同兵 ,  何庆波 ,  房永征

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明涉及一种ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，即将合成好的高纯富碲多晶ZnTe原料，装入底部事先安置好ZnTe籽晶的PBN坩埚内，然后密封于石英坩埚内，置于三温区下降炉内进行生长晶体，炉温控制在1000～1250℃，生长速率0.5～1/h。下降炉内设有多个等效的坩埚位置，可同时生长多根晶体。晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火，即获得ZnTe单晶。本发明的ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，且原位退火可降低热应力引起的晶体缺陷，同时由于炉内多个等效工位，可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产。

公开(公告)号：CN101550586A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910048393.2

申请日：2009-03-27

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 徐家跃 ,  金敏 ,  赵洪阳 ,  胡同兵 ,  何庆波 ,  房永征

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明涉及一种ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，即将合成好的高纯富碲多晶ZnTe原料，装入底部事先安置好ZnTe籽晶的PBN坩埚内，然后密封于石英坩埚内，置于三温区下降炉内进行生长晶体，炉温控制在1000～1250℃，生长速率0.5～1/h。下降炉内设有多个等效的坩埚位置，可同时生长多根晶体。晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火，即获得ZnTe单晶。本发明的ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，且原位退火可降低热应力引起的晶体缺陷，同时由于炉内多个等效工位，可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产。