-
公开(公告)号：CN104030275B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410235200.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，先称取氧化石墨，将氧化石墨加入到去离子水中，经超声、低速离心去杂质、干燥研磨后，得到氧化石墨烯；氧化石墨烯溶于溶剂经超声制成氧化石墨烯的分散液；将上述氧化石墨烯分散液采用微孔滤膜真空抽滤，得到的滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜；采用在受限空间内高温热处理或氢碘酸还原的方法得到还原氧化石墨烯导热薄膜。本发明有效地克服了由氧化石墨烯薄膜制备还原氧化石墨烯导热薄膜易破碎、难以保持大面积完整的技术问题，制备方法简单且薄膜热导率较高，所制备的薄膜在微电子器件散热领域具有潜在的实际应用价值。
-
公开(公告)号：CN103342552A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310269124.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种纳米晶M型铁氧体粉末及其合成方法。所述一种纳米晶M型铁氧体粉末是一种单一的M型铁氧体粉末，其粒径为65～100nm，其中所含M、铁和氧按摩尔比计算即M:Fe：O为1:12:19；所述M为Pb、Ba或Sr。其合成方法即首先将柠檬酸溶解于蒸馏水中，然后加入Fe盐和M金属盐，充分搅拌溶解后，用氨水调整溶液pH值至5～7.5，然后在75～100℃下搅拌形成络合物溶液后控制温度为60～120℃形成前驱体；再将前驱体在850～900℃进行煅烧60～120min，即得纳米晶M型铁氧体粉末。该合成方法具有合成周期短、效率高、合成成本低、合成粉末晶粒尺寸细小均匀，适于批量化生产等特点。
-
公开(公告)号：CN102002754A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
-
公开(公告)号：CN101698608A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910197786.X
申请日：2009-10-28
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/626 , C04B35/26 , H01F1/34 , H01F1/36
Abstract: 本发明公开了一种纳米晶M型铁氧体粉末的合成方法。以分析纯金属离子Fe2+、Ba2+、pb2+或Sr等的硝酸盐或碳酸盐为原料，按一定的比例配置成一定pH值为5～7.5的均一溶液，溶液在75～100℃下进行反应，形成络合物的溶液，然后经过干燥，形成含一定水分的前躯体，在频率为300～3000MHz的微波炉中将前驱体以20～80℃/min的升温速度升温至800～1000℃进行煅烧处理，处理时间40～120min，可得到粒径约为30～100nm的单一的纳米晶M型铁氧体粉末。与传统方法相比，该方法大幅度缩短了煅烧时间，制成的样品晶粒细小均一，且磁性能在一定程度上得到了优化。
-
公开(公告)号：CN101412582A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810202534.7
申请日：2008-11-11
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C03C3/23
Abstract: 本发明公开了一种透红外氧氟碲酸盐玻璃及其制备方法，玻璃的摩尔百分比组成为：TeO265～70mol％、ZnO 15～20mol％、ZnF21～5mol％、La2O31～5mol％、Bi2O31～5mol％。本发明通过两步熔融方法制备出一种透红外氧氟碲酸盐玻璃。该玻璃转变温度为300～350℃，热稳定性参数90～110℃，红外截至波长＞6μm，红外透过率＞75％，维氏硬度＞380，适合于制备中红外波段的光学窗口材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104030275A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410235200.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，先称取氧化石墨，将氧化石墨加入到去离子水中，经超声、低速离心去杂质、干燥研磨后，得到氧化石墨烯；氧化石墨烯溶于溶剂经超声制成氧化石墨烯的分散液；将上述氧化石墨烯分散液采用微孔滤膜真空抽滤，得到的滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到氧化石墨烯薄膜；采用在受限空间内高温热处理或氢碘酸还原的方法得到还原氧化石墨烯导热薄膜。本发明有效地克服了由氧化石墨烯薄膜制备还原氧化石墨烯导热薄膜易破碎、难以保持大面积完整的技术问题，制备方法简单且薄膜热导率较高，所制备的薄膜在微电子器件散热领域具有潜在的实际应用价值。
-
公开(公告)号：CN103408296A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310354819.3
申请日：2013-08-15
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种镧钴取代锶铁氧体永磁材料中镧钴离子迁移的表征分析方法，将含锶的铁氧体预烧料分别与不含镧钴和含镧钴的二次添加的助剂在球磨机内混合与球磨，分离脱水的不含镧钴的料浆采用湿法成型制备成圆形坯体，然后将坯体取出，在压机槽中添加含镧钴的料浆并将之前压好的坯体放置于料浆上方压制成混合圆形坯体，成型后的坯体进入隧道窑按一定的工艺制度进行烧结，得到烧结好的混合锶铁氧体永磁材料，然后把样品表面从上向下逐层磨去1-2mm，用X射线荧光光谱分析仪对此表面进行分析，进而得到若干个面的镧钴元素含量，最后绘制镧钴元素含量随迁移距离变化图，直观的显示出镧钴离子在锶铁氧体永磁材料中的迁移。
-
公开(公告)号：CN101412586A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810202531.3
申请日：2008-11-11
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C03C10/16
Abstract: 本发明公开了一种透红外氧卤碲酸盐微晶玻璃及其制备方法，所述玻璃各组分的摩尔百分比为：TeO260～70mol％、ZnO 10～15mol％、BaF25～15mol％、La2O31～5mol％、Bi2O31～10mol％、Nb2O51～5mol％。本发明通过两步熔融方法及精密热处理制备出一种透红外氧卤碲酸盐微晶玻璃。该玻璃转变温度为340～360℃，热稳定性参数100～ 115℃，红外截至波长＞6μm，3～5μm波段透过率＞70％，维氏硬度＞450，适合于制备中红外波段的光学窗口材料。
-
公开(公告)号：CN101412581A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810202532.8
申请日：2008-11-11
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C03C3/23
Abstract: 本发明公开了一种透红外多元氧卤碲酸盐玻璃及其制备方法，其摩尔百分比组成为：TeO250～70mol％、BaO 10～30mol％、ZnCl25～10mol％、YF31～5mol％、AlF35～10mol％，本发明通过两步熔融方法制备出一种透红外多元氧卤碲酸盐玻璃，该玻璃转变温度为320～360℃，热稳定性参数95～120℃，红外截至波长＞6μm，3～5μm波段透过率＞75％，维氏硬度＞400，适合于制备中红外波段的光学窗口材料。
-
公开(公告)号：CN104743551B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510139841.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开一种还原氧化石墨烯导热薄膜的制备方法，即将氧化石墨加入到去离子水中超声，所得悬浮液控制2000-3000rpm离心5-20min，取上清液，干燥、研磨后得氧化石墨烯；将所得氧化石墨烯加入到溶剂中超声处理，得到浓度为1-5mg/mL氧化石墨烯的分散液采用微孔滤膜真空抽滤，所得滤饼连同滤膜一起干燥后，将滤饼从滤膜上剥离得到的氧化石墨烯薄膜施加0-10MPa的压力，在氮气、氩气或氦气气氛下，600-1000℃处理2-8h，即得热导率高、还原程度较高、石墨烯片层沿面内取向度高、表面光滑且柔韧性好，能大幅度的卷曲不断裂，层间距明显减小的还原氧化石墨烯导热薄膜。其制备方法简单，易于工业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.029 seconds)
