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公开(公告)号：CN102011187B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102002754B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
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公开(公告)号：CN106190119A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610573460.2
申请日：2016-07-20
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: Y02B20/181 , C09K11/7736 , H01L33/502
Abstract: 一种白光LED用Eu3+掺杂钼酸盐红粉的制备方法，其化学式为Sr2CaMoO6:xEu3+，0.01≤x≤0.15，按照化学计量比称取原料，将上述原料与助熔剂充分混合均匀，混匀后装入由刚玉制成的双坩埚内，坩埚间填充吸波剂，将坩埚放入微波炉，快速升温至750-950℃，在氧化环境中进行烧结，保温时间为0.5-4h；最后经冷却、研磨、洗涤、烘干得到白光LED用红色荧光粉。本发明在微波烧结时加入助熔剂促进了钼酸盐多晶的形成和生长，荧光粉的烧结程度也显著降低、烧结时间显著缩短，粉体松散，无需机械粉碎，而且有效控制了铝酸盐荧光粉颗粒的形貌，获得粒径颗粒较小且分布均匀，外形呈近球形的颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102002754A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
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公开(公告)号：CN106058631A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610573476.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: H01S3/1675 , C30B9/12 , C30B29/32
Abstract: 一种镝掺杂钼酸钙锶绿色激光晶体，该晶体的分子式为Dy3+:Sr2CaMoO6，属于正交晶系，Pmm2空间群，其晶胞参数为α=β=γ=90°，a=8.1513Å,b=5.7416Å,c=5.8385Å,Z=2。还提供了上述镝掺杂钼酸钙锶绿色激光晶体的制备方法，采用熔盐顶部籽晶法，以的K2Mo2O7‑MoO3作为助熔剂，生长参数为：降温速率0.5‑3℃/天，生长温度750‑790℃，转速5‑30转/分钟，生长出Dy3+:Sr2CaMoO6晶体，其中Dy3+掺杂浓度为1at.%‑15at.%。本发明的晶体可以在固体激光器中作为激光工作物质使用，使用闪光灯或激光二极管作为泵浦源，激发产生绿光激光输出。
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公开(公告)号：CN102677175A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210167241.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，且位错密度较低。
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公开(公告)号：CN102011187A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010608864.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开一种硅锗酸铋混晶及其制备方法，属于单晶领域。硅锗酸铋混晶的分子式为Bi4Si3-xGexO12。其制备方法即以高纯Bi2O3、SiO2和GeO2为原料，经过充分研磨和预烧成多晶料；籽晶事先置于坩埚底部，将合成好的多晶料装入坩埚中，移至晶体生长炉内并控制温度1050-1150℃，固液界面温度梯度为20-50℃/cm，生长速度为0.2-0.5mm/h。本发明的硅锗酸铋混晶，原料成分可调且分布均匀，兼具硅酸铋和锗酸铋的闪烁性能，晶体尺寸较大；制备方法温场稳定、工艺设备简单；同时可以实现多根晶体同时生长，晶体生长效率高、生产成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106058631B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610573476.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 一种镝掺杂钼酸钙锶绿色激光晶体，该晶体的分子式为Dy3+:Sr2CaMoO6，属于正交晶系，Pmm2空间群，其晶胞参数为α=β=γ=90°，a=8.1513Å,b=5.7416Å,c=5.8385Å,Z=2。还提供了上述镝掺杂钼酸钙锶绿色激光晶体的制备方法，采用熔盐顶部籽晶法，以的K2Mo2O7‑MoO3作为助熔剂，生长参数为：降温速率0.5‑3℃/天，生长温度750‑790℃，转速5‑30转/分钟，生长出Dy3+:Sr2CaMoO6晶体，其中Dy3+掺杂浓度为1at.%‑15at.%。本发明的晶体可以在固体激光器中作为激光工作物质使用，使用闪光灯或激光二极管作为泵浦源，激发产生绿光激光输出。
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