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公开(公告)号：CN104030693B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410266855.9
申请日：2014-06-16
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/632 , C04B35/44 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉的制备方法，即将含有燃烧助剂尿素或甘氨酸的Ce3+、Lu3+、Al3+离子的硝酸盐溶液在60℃温度下，充分搅拌直至形成均匀溶胶，然后将所得溶胶控制温度为200℃保温10min，获得的三元阳离子的前驱粉体经700-1000℃煅烧120min，即得三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉。该制备方法与传统的溶胶凝胶燃烧法需要先制备溶胶再获得凝胶的两步合成法相比，本发明的优势在于采用甘氨酸或尿素等作为燃烧助剂，经一步溶胶反应，在低温下保温燃烧即得三元阳离子Ce:LuAG陶瓷荧光粉。
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公开(公告)号：CN104911706B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510328712.0
申请日：2015-06-15
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C23C18/1258
Abstract: 本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370‑390oC，ZnO薄膜的厚度为150‑250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。
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公开(公告)号：CN104911706A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510328712.0
申请日：2015-06-15
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C23C18/1258
Abstract: 本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370-390oC，ZnO薄膜的厚度为150-250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。
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公开(公告)号：CN104030693A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410266855.9
申请日：2014-06-16
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/632 , C04B35/44 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉的制备方法，即将含有燃烧助剂尿素或甘氨酸的Ce3+、Lu3+、Al3+离子的硝酸盐溶液在60℃温度下，充分搅拌直至形成均匀溶胶，然后将所得溶胶控制温度为200℃保温10min，获得的三元阳离子的前驱粉体经700-1000℃煅烧120min，即得三元阳离子Ce：LuAG陶瓷荧光粉。该制备方法与传统的溶胶凝胶燃烧法需要先制备溶胶再获得凝胶的两步合成法相比，本发明的优势在于采用甘氨酸或尿素等作为燃烧助剂，经一步溶胶反应，在低温下保温燃烧即得三元阳离子Ce:LuAG陶瓷荧光粉。
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