有机电致发光显示面板

    公开(公告)号:CN100487906C

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200310124911.7

    申请日:2003-12-11

    CPC classification number: H01L27/3276 H01L27/124 H01L2251/5315

    Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光显示面板,包括:绝缘衬底;形成在衬底上的多晶硅层;形成在多晶硅层上的第一绝缘层;形成在第一绝缘层上的栅极线;形成在栅极线上的第二绝缘层;形成在第二绝缘层上并包括第一和第二部分的数据线;与数据线的第一部分连接的像素电极;限定像素电极上的区域的隔离物;形成在像素电极上的该区域中的有机发光部件;形成在发光部件上的公共电极;以及,设置在像素电极与衬底之间并且与数据线的第二部分连接的平面电源电压电极。

    包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置方法

    公开(公告)号:CN100470875C

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200410007734.9

    申请日:2004-03-05

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3262

    Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括:一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极电极,形成在一衬底上方;一绝缘层,形成在该栅极电极上方;一第一半导体图形,形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方,而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方,而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。

    显示器件及其制造方法
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101232041A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810000902.X

    申请日:2008-01-07

    Abstract: 显示器件包括:绝缘基板;形成在绝缘基板上的开关TFT,开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层;形成在基板上的驱动TFT,驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层;绝缘层,形成在开关TFT和驱动TFT上;第一电极,形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端;有机发光层,形成在第一电极上;和第二电极,形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。

    显示装置
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1933174A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200610154181.9

    申请日:2006-09-15

    CPC classification number: H01L27/3269 H01L27/3262 H01L2227/323

    Abstract: 一种显示装置,包括基板和设置于基板上的光传感器。光传感器包括:半导体层;输入端子,电连接至半导体层;以及输出端子,电连接至半导体层。第一绝缘层设置于光传感器上,像素电极、有机层、和共用电极层依次设置于第一绝缘层上,并且控制器基于光传感器的输出控制对像素电极的输入。因此,本发明提供了一种能够减少寄生电容的显示装置。

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