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公开(公告)号：CN114937599A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210477409.7
申请日：2022-05-04
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种提高铪基铁电器件性能的退火方法，铪基铁电器件包括铪基铁电功能层、第一电极和第二电极；记第一电极和第二电极中，相对较不易氧化的电极为惰性电极，另一者为对电极；退火过程中，通过控制退火炉的加热排灯，仅使用靠近惰性电极的单侧排灯对退火炉进行加热，快速热退火在预设的目标退火温度下的保温时间不长于60s；利用快速热退火，能够提升铪基铁电器件的剩余极化性能。本发明通过仅单侧排灯加热退火的方式，可以促使更多的中心对称t相转换为非中心对称的铁电相o相，促使铁电器件展现出优异的铁电性能。
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公开(公告)号：CN114927158A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210674740.8
申请日：2022-06-15
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
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公开(公告)号：CN114597254B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC: H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
Abstract: 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DAC电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN114743975A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210333550.X
申请日：2022-03-31
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。
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公开(公告)号：CN114695659A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210335342.3
申请日：2022-03-31
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种以双氧水为反应物的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向反应腔体内加入水和双氧水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为110～130℃，反应时间为1～2h。本发明的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，使用双氧水和去离子水共同作为反应性物质，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比。由于双氧水具有比去离子水更好的氧化性，相比单独使用去离子水作为反应物质，采用双氧水和去离子水共同作为反应性物质可以更好地钝化材料和器件内部以及不同材料界面处的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114446876B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210376505.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
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公开(公告)号：CN114629468A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210532086.7
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将50MHZ时钟信号处理后输出400MHZ高速时钟信号和50MHZ时钟信号；第一触发器用于对控制信号进行上升沿同步处理输出同步信号；第二触发器用于对同步信号进行20ns延时处理；行触发器阵列中各触发器用于在400MHZ高速时钟信号的控制下输出步进精度为2.5ns的多个可调脉宽脉冲信号，然后通过选择器选择出所需脉宽的脉冲电压信号至相变存储器。本发明能产生20～100ns上升沿下降沿精度高的脉冲电压信号，且脉宽可调，灵活性高。
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公开(公告)号：CN114367488A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210282300.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。通过在待清洁晶圆低速旋转的同时，从待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，在惯性作用下将副产物逐步移出晶圆边缘，达到晶圆清洁的目的，尤其适用于经过芯片切割工艺后待键合的晶圆表面副产物的清洁。
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公开(公告)号：CN114284312A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111597040.5
申请日：2021-12-24
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种OTS选通管的操作方法，属于微纳米电子技术领域，包括：在OTS选通管两端施加脉冲，提取每次施加脉冲后OTS选通管的阈值电压Vth；若Vth连续P次增大或Vth连续P次减小，则从下次起施加反向脉冲，并对Vth增大或减小的次数重新计数。通过对OTS选通管两端施加双向脉冲，在操作次数增加时，双向脉冲对应的场致效应在不同局域缺陷态富集电子，形成不同电子分布，从而抑制单向脉冲操作下在局域缺陷态富集电子，减小了阈值电压漂移；且本发明所提供的操作方法为电学操作方法，该操作方法简单可控，在对选通管制备工艺要求没有提高的前提下，有效解决了OTS选通管器件的阈值漂移问题，大大优化了OTS选通管的性能。
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公开(公告)号：CN114203541A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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