公开(公告)号：CN114975079A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210355105.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 马国坤 ,  何哲 ,  陈大磊 ,  王浩

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时间为1～2h。本发明的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，以水为反应物，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比，为器件的进一步集成和运用提供了有力支撑。

公开(公告)号：CN114695659B

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202210335342.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 马国坤 ,  何哲 ,  陈大磊 ,  王浩

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明提供了一种以双氧水为反应物的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向反应腔体内加入水和双氧水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为110～130℃，反应时间为1～2h。本发明的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，使用双氧水和去离子水共同作为反应性物质，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比。由于双氧水具有比去离子水更好的氧化性，相比单独使用去离子水作为反应物质，采用双氧水和去离子水共同作为反应性物质可以更好地钝化材料和器件内部以及不同材料界面处的缺陷。

公开(公告)号：CN114743975A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210333550.X

申请日：2022-03-31

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 王浩 ,  钱烽 ,  何哲 ,  马国坤

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。本发明的鳍式浮栅存储器件，针对鳍式结构在工作过程中载流子浓度不均的问题，将隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值设置为(2～3):1，即本发明采用相对于顶部隧穿层更薄的侧边隧穿层，通过该结构使得鳍片(Fin)中的电子和空穴更容易通过注入和隧穿穿过介质层到达浮栅。

公开(公告)号：CN114695659A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210335342.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 马国坤 ,  何哲 ,  陈大磊 ,  王浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种以双氧水为反应物的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向反应腔体内加入水和双氧水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为110～130℃，反应时间为1～2h。本发明的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，使用双氧水和去离子水共同作为反应性物质，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比。由于双氧水具有比去离子水更好的氧化性，相比单独使用去离子水作为反应物质，采用双氧水和去离子水共同作为反应性物质可以更好地钝化材料和器件内部以及不同材料界面处的缺陷。

公开(公告)号：CN117174742A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310947189.4

申请日：2023-07-31

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 ,  钱烽 ,  何哲 ,  王浩 ,  彭小牛 ,  桃李 ,  段金霞 ,  饶毅恒

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H10B41/30

Abstract: 本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道的两端均延伸出隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，并分别与源极和漏极相接触；源极和漏极均设置在衬底上，且两极不接触；各纳米线结构由下向上依次设置在两极之间。本发明可以提高浮栅器件的可靠性，解决在沟道内掺杂难以实现与传统常规器件一样均匀的问题，并且也可以解决在源漏施加偏压后两个电极间的平行电场自上而下慢慢减弱，沟道电子注入的难度逐渐增加的问题。