-
公开(公告)号：CN114388350A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210290100.7
申请日：2022-03-23
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗待清洗晶圆表面的激光保护胶；S3、保持真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗晶圆表面的聚合物；S4、保持真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原晶圆表面的氧化铜。本发明方法单纯依赖气体对切割后晶圆进行分步清洗，保证晶圆表面各类杂质彻底清除，同时不破坏承载膜和晶圆表面结构，该方法简化流程，高效环保。
-
公开(公告)号：CN114678282A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
-
公开(公告)号：CN114367488A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210282300.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。通过在待清洁晶圆低速旋转的同时，从待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，在惯性作用下将副产物逐步移出晶圆边缘，达到晶圆清洁的目的，尤其适用于经过芯片切割工艺后待键合的晶圆表面副产物的清洁。
-
公开(公告)号：CN114678282B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210586382.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/68 , H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述目标位置与所述预定键合位置之间的偏移参数相同；针对所述晶圆上的每个所述芯片：根据所述实际键合位置和所述目标位置，确定所述芯片上待形成的至少一层第一再布线层的设置位置；其中，所述至少一层第一再布线层中的顶层第一再布线层的设置位置与所述目标位置相同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388350B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210290100.7
申请日：2022-03-23
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗待清洗晶圆表面的激光保护胶；S3、保持真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗晶圆表面的聚合物；S4、保持真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原晶圆表面的氧化铜。本发明方法单纯依赖气体对切割后晶圆进行分步清洗，保证晶圆表面各类杂质彻底清除，同时不破坏承载膜和晶圆表面结构，该方法简化流程，高效环保。
-
公开(公告)号：CN115939000A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310099215.2
申请日：2023-01-30
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种芯片承载装置及芯片与晶圆键合方法，芯片承载装置的第一表面上设置有多个凹槽，每一凹槽内均设置有固定组件；本申请通过提供一种芯片承载装置，当UV膜扩膜之后，已经贴在UV膜上的芯片无法再进行传送时，可以将芯片转移至芯片承载装置的凹槽中，可通过凹槽内的固定组件将转移至凹槽中的芯片固定，然后可以通过转移载有芯片的芯片承载装置去进行下一步的工艺，因此，解决了UV膜扩膜之后，已经贴在UV膜上的芯片无法再进行传送的技术问题。
-
公开(公告)号：CN115041841A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210969355.6
申请日：2022-08-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/142 , B23K26/70 , B23K10/00
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆切割设备及晶圆切割方法，该设备包括：晶圆承载台，用于承载晶圆，且在切割时使所述晶圆表面朝下；切割装置，位于所述晶圆承载台下方，用于切割所述晶圆承载台上的晶圆；熔渣清除装置，位于所述晶圆承载台下方，用于通过负气压抽走切割晶圆产生的熔渣。
-
公开(公告)号：CN219092923U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202223494146.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
Inventor： 宋林杰
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体生产系统及其清刷装置，该清刷装置包括清洗槽和喷头：清洗槽设置有允许清理刷进入槽内的开口；喷头与清洗槽固定连接，用于向位于清洗槽内的清理刷喷洒清洗介质。本实用新型提供的半导体生产系统及其清刷装置，能够对毛刷或海绵刷等用于清洗半导体器件的清理刷进行清理，不仅有利于延长清理刷的使用寿命，而且能够避免清理刷在进一步的半导体加工过程中导致污染或交叉污染的风险，有利于提高半导体产品良率。
-
公开(公告)号：CN219017589U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202222549935.8
申请日：2022-09-22
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
Inventor： 宋林杰
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆清洗系统，包括：固定旋转组件，用于固定晶圆并带动晶圆围绕晶圆的圆心进行旋转；设置在固定旋转组件的下方的第一喷液组件，用于向晶圆喷洒清洗液；设置在固定旋转组件的下方的滚刷，围绕滚刷的轴线进行旋转以清洗晶圆表面；设置在滚刷的下方的清洗槽，用于盛装清洗液，并对旋转中的滚刷上背离固定旋转组件且浸没在清洗液中的部分进行清洗。通过在固定旋转组件的下方设置第一喷液组件和滚刷，利用第一喷液组件和滚刷清洗晶圆的同时，也利用清洗槽内的清洗液清洗滚刷，如此，在滚刷清洗晶圆的过程中滚刷也能够进行自清洗过程，避免滚刷的表面附着的颗粒物重新粘附到晶圆表面，造成二次污染，从而提高晶圆的清洗效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.039 seconds)
