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公开(公告)号：CN112652536B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202011397875.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。
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公开(公告)号：CN116525562A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310403838.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/13 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理，通过对IGBT模块基板的结构处理，即改变芯片散热通道及热阻，减少芯片及热传递路径耦合，这样可以进一步加大芯片的散热效果，在不超过芯片的最高结温下，通过这一技术可以提高芯片的功率密度，用在变流器中时，可以提供整个变流器单元的功率密度，从而减小IGBT模块的热失效率，提高整个IGBT模块寿命，其IGBT模块鲁棒性也大大加强。
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公开(公告)号：CN116190335A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211618940.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。
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公开(公告)号：CN115241275A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210866289.X
申请日：2022-07-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种漏电低的功率器件保护环结构及其制备方法，N型保护环和P型保护环固定设置在N型漂移区正面，N型保护环位于P型保护环左侧，N型保护环和P型保护环之间有间距；将N型衬底作为N型漂移区；在N型漂移区正面进行光刻，形成N型保护环；向N型保护环中注入N型保护环杂质；在N型漂移区正面进行光刻，形成P型保护环；向P型保护环中注入P型杂质并在设定的温度范围内推进。本发明采用P型场限环和N型场限环相结合的结构，P型保护环上面的场板采用多晶硅和金属相结合的台阶形场板结构。
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公开(公告)号：CN115020477A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210870462.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管结构及其制备方法，阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2）和电阻区（3）注入P型杂质进行杂质掺杂。采用本发明方法制备快恢复二极管结构，电阻区采用间隔开的多个注入条设计，与阳极区一起注入和推进，实现低电阻的同时减少了工艺步骤和时间，解决了现有技术工艺步骤多和工艺时间长的问题。
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公开(公告)号：CN114743948A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210192349.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种具备短路失效模式的压接型半导体模块，包括：依次设置的顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板；顶板、弹性导电组件、电路板、金属片、功率芯片和底板通过外部施加压力紧密电连接；将多颗功率芯片的栅极通过一个或两个以上的导体引出，引出至外部端子。优点：多芯片并联，其中一颗芯片失效时，芯片进入短路模式，瞬时释放出大量的热，由于设置了电路板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散。增加了导电片过热熔断的时间，提升了系统的安全性和可靠性。通过设置电路板，从原有的单向电流路径，增加了前后左右所有的支路路径，多芯片之间电流回路可共享，起到有效均流的能力，从而增加芯片的输出能力。
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公开(公告)号：CN114284160A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN114203661A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111431388.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114203643A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN114068515A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111413751.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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