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公开(公告)号：CN118374785A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410637414.9
申请日：2024-05-22
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种提高PVD后处理刀具涂层膜基结合强度的方法，该方法包括以下步骤：(1)将基体置于盛放纳米流体的反应器中，所述纳米流体在反应器中循环流动；(2)通过物镜将紫外纳秒激光聚焦到所述基体的涂层表面，设定激光器的加工参数完成所述涂层表面处理。本发明的装置设计简洁高效，纳米流体的循环流动有效减轻了传统激光烧蚀工艺中常见的热效应问题，同时增强基体与基体涂层上的结合强度。此外，纳米流体的循环使用设计也极大降低了成本，实现了经济效益与环境友好的双重优势。
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公开(公告)号：CN116314561B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310291743.8
申请日：2023-03-23
申请人： 江苏第三代半导体研究院有限公司
IPC分类号： H01L33/64 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , H01L25/075
摘要： 本发明提供了一种可见光通信器件及其制备方法和可见光通信系统，可见光通信器件包括：发光单元、用于封装微发光元件的封装结构以及设置在微发光元件上方并与微发光元件接触的内散热件，发光单元包括至少两个微发光元件；内散热件部分设置于封装结构的内部，且内散热件穿过封装结构并与外散热件相连接，外散热件设置于封装结构的外部，内散热件用于将微发光元件产生的热量传输至外散热件。本发明提供的可见光通信器件能够将芯片内部的热量通过内散热件迅速传导至外散热件，散热速率提升显著。
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公开(公告)号：CN115976482B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211569582.6
申请日：2022-12-08
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/48 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/04 , H01C7/04 , H01C17/00
摘要： 本发明提供了一种基于离子注入的NTC复合热敏薄膜的制备方法。该方法首先在衬底上生长一种NTC热敏薄膜，之后通过固定能量及剂量注入特定离子，制备成具有特殊结构的NTC复合热敏薄膜。离子注入方法首次被用于传统负温度系数（NTC）热敏薄膜材料的改性，一方面使得几乎所有元素的注入成为可能，并且可以得到高的表面浓度获得非平衡结构；另一方面离子注入深度和浓度易于控制，便于重复注入及重复实验，具有制备工艺简单、性能可控等优点。这种方法将为先进功能薄膜材料的设计带来创新的视角，并为进一步拓宽热敏材料的性能边界提供思路。
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公开(公告)号：CN118366873A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310076764.8
申请日：2023-01-17
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 赵伟
IPC分类号： H01L21/56 , C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/58 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/54 , C23C16/52
摘要： 本发明公开一种芯片的处理方法，包括：提供一芯片；对所述芯片进行预清洗；在清洗后的芯片的表面上形成第一DLC涂层；对所述第一DLC涂层进行蚀刻；在蚀刻过程中检测所述芯片是否被溅射，并在检测到所述芯片被溅射时，停止蚀刻；在蚀刻后的第一DLC涂层上形成第二DLC涂层，得到镀膜后的芯片。采用本发明实施例，能够有效提高DLC层的附着力，同时避免大幅度增加芯片的整体厚度。
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公开(公告)号：CN118360579A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410799486.3
申请日：2024-06-20
申请人： 安徽纬科材料科技有限公司
摘要： 一种基于金属靶材制作钙钛矿薄膜的方法，包括：准备工作，包括：基底清洗、靶材准备与磁控溅射设备初始化；制备钙钛矿薄膜，包括：启动磁控溅射设备，进行磁控溅射沉积；以及根据激子峰的峰值强度与激子峰的宽度，控制磁控溅射设备的溅射时间；钙钛矿薄膜的退火处理，包括：基底转移与钙钛矿薄膜退火；以及根据激子峰的峰值强度与激子峰的宽度，控制退火炉的退火时间。本发明创造性的利用激子峰作为钙钛矿薄膜的表征。激子峰的强度与宽度反映了薄膜的光学活性和载流子复合效率，间接表征了薄膜的诸多性能参数。
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公开(公告)号：CN118356196A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410616577.9
申请日：2024-05-17
申请人： 杭州电子科技大学温州研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于面部肌电信号采集的柔性可拉伸微针电极。目前，标准的用于EMG信号检测的商用Ag/AgCl电极主要通过导电胶来维持电极和皮肤之间良好的导电性。然而，这种导电胶会随着时间的增加而变得干燥，从而导致电极‑组织界面阻抗的变化以及信号质量的急剧降低。本发明拟采用具有柔性和高生物相容性的parylene C作为衬底，通过保形贴附和减小刺激来提高佩戴舒适度，同时，采用蛇形的结构，减小皮肤形变与肌肉运动产生的运动伪影产生的影响。另一方面，为了提高信号的稳定性，本项目拟采用的微针阵列来刺穿皮肤角质层，通过物理刺穿角质层的方式降低电极与组织之间的界面阻抗，从而提高EMG信号的质量和稳定性。
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公开(公告)号：CN118308692A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410414918.4
申请日：2024-04-08
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了在金属软基带上制备(Cu,C)Ba2Can‑1CunO2n+3(n＝3,4)超导薄膜的方法.按照化学配比称取一定量的钡，钙和铜的氧化物或碳酸盐经过多次研磨压片和烧结后得到靶材；选择帽子层合适的具有缓冲层的金属软基带，利用制备的靶材通过PLD沉积技术制备出(Cu,C)Ba2Can‑1CunO2n+3(n＝3,4)薄膜；在PLD镀膜腔体中以一定流速分别通入高纯氧气和二氧化碳，维持腔体内气压恒定；调节靶材与软基带之间的距离，使得羽辉末端与软基带之间的距离合适；温度稳定后，进行薄膜的沉积生长；在合适的激光能量，脉冲频率和基带温度下，得到高临界温度和高不可逆磁场、高临界电流密度的超导薄膜。
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公开(公告)号：CN118287666A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410252934.8
申请日：2024-03-06
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明属于微纳光学材料制备技术领域，具体涉及一种花粉粒状纳米金有序点阵及其激光光热快速生长方法。本方法基于气液界面自组装六方密排聚苯乙烯微球阵列，然后沉积一层金膜通过退火煅烧获得了非密排金纳米颗粒有序点阵，然后浸泡在金种子生长液中，利用金纳米粒子组装体对波长为532nm激光有着强列的光吸收的特性，使用连续的532nm激光辅助在生长溶液中生长成花粉粒状纳米金颗粒有序点阵，或者放置在数控机床的移动平台上，进行激光直写花粉粒状纳米金颗粒有序点阵。该制备方法快捷、精确、产率高，且不需要复杂的工艺流程以及昂贵的设备，制备成本低，适合工业化的大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN118268552A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410409563.X
申请日：2024-04-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及一种超高强度、超高硬度的球形材料及其制造方法，球形材料包括球形壳体和球形壳体内密封的气体；其特征在于：所述球形壳体为双层金属复合结构，球形壳体内绝对压力为0.1Mpa‑1000Mpa以使所述球形材料为空心高压球体。本发明采用有机物制备内层的气体固化颗粒，由于有机物本身的质量分数大，气化后，产生的气体质量分数更大，就能制备出空心高压球体，采用金属制备双层结构的球形壳体也能适配于空心高压结构，最终使得球形材料满足超高强度、超高硬度的要求；同时采用本制造方法可以有效保证球形壳体的厚度均匀一致。
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公开(公告)号：CN115312373B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211003031.3
申请日：2022-08-19
申请人： 沈阳大学
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , C30B5/02 , C30B29/36 , C30B29/62 , C30B33/02 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种碳化硅纳米线功能薄膜的制备方法，包括以下步骤：以衬底为阴电极，铂片为阳电极；将电极放置碳化硅纳米线悬浮液中；施加电压并用磁力搅拌器对溶液进行搅拌，再结合化学镀镍、焊接和转移工艺，最终可以获得均匀且致密的碳化硅纳米线薄膜。该方法工艺简单，成本低，高效率且安全易操作，利于商业化大规模生产，且制备出的碳化硅纳米线薄膜集成了一维纳米线和薄膜的优点，且还具有大尺寸、大比表面积、可弯曲、无微管缺陷、均匀致密的优点。另外，本发明提供了一个有效的自下而上的组装纳米结构的方式，几乎对所有的低维纳米结构具有普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
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